Полупроводниковую пластину припаивают к кристаллодержателю с помощью припоя, содержащего сурьму. Допустимая мощность диода определяется площадью p-n-перехода. Маломощные диоды имеют гибкие цилиндрические выводы. Мощные диоды имеют жесткие выводы. Один из выводов имеет резьбу и крепится на плату с помощью гайки. В мощных диодах пластина полупроводника устанавливается на медное основание, между медью и полупроводниковой пластиной делается молибденовая (Мо) прокладка для того, чтобы компенсировать разность ТКЛР между медью и полупроводником. Внутренний вывод делается с изгибом для того, чтобы изменение температуры не нарушало работу диода. Маломощные кремниевые диоды, в которых р-n-переход создается по диффузионной технологии, имеют некоторые особенности в изготовлении полупроводниковой пластины: р-n-переход делается более широким в периферийной части. Этим снижают вероятность поверхностного пробоя. Такие диоды можно соединять последовательно без шунтирующих сопротивлений.
Полупроводниковую пластину припаивают к кристаллодержателю с помощью припоя, содержащего сурьму. Допустимая мощность диода определяется площадью p-n-перехода. Маломощные диоды имеют гибкие цилиндрические выводы. Мощные диоды имеют жесткие выводы. Один из выводов имеет резьбу и крепится на плату с помощью гайки. В мощных диодах пластина полупроводника устанавливается на медное основание, между медью и полупроводниковой пластиной делается молибденовая (Мо) прокладка для того, чтобы компенсировать разность ТКЛР между медью и полупроводником. Внутренний вывод делается с изгибом для того, чтобы изменение температуры не нарушало работу диода. Маломощные кремниевые диоды, в которых р-n-переход создается по диффузионной технологии, имеют некоторые особенности в изготовлении полупроводниковой пластины: р-n-переход делается более широким в периферийной части. Этим снижают вероятность поверхностного пробоя. Такие диоды можно соединять последовательно без шунтирующих сопротивлений.