Высокочастотные диоды по назначению являются универсальными диодами, так как могут использоваться для выпрямления, детектирования, умножения, модуляции электрических сигналов частотой до 100 МГц. Они могут быть точечными, диффузионными, сплавными или меть мезаструктуру. Диоды с точечными p-n переходами имеют радиус контакта rк от 5 до 40 мкм.
Площадь перехода очень маленькая, поэтому у них малая барьерная емкость. Они имеют низкое время жизни неосновных зарядов в базе. Это обеспечивает низкую инерционность, то есть высокое быстродействие диода.
Вольтамперная характеристика высокочастотного диода представлена на рис. 1.9.
Такой вид характеристики объясняется большим сопротивлением базы: rб=ρб/ 2πrк.
Поэтому ВАХ почти сразу представляет собой омический участок реального диода.
Высокочастотные диоды – маломощные диоды из-за малой площади перехода.
Допустимый ток не превышает 20 мА. Обратный то – это ток генерации и ток поверхностной утечки. Участок насыщения отсутствует. Пробой носит тепловой характер. Обратное максимальное напряжение в пределах от 10 до 150 В.
