При подаче высокого на-
пряжения плавкая вставка
перегорает и образуется 0
Вызывая пробой, получаем 1
Вызывая пробой, получаем 0
ПерепрограммируемыеПЗУ (репрограммируемые -РПЗУ)
На основе транзистора с плавающим затвором.
И
n+
p
мет С
З
n+
На И. и С. подают высокое напряжение => пробой p-n перехода.
Программирование выполняют подачей напряжения И-С порядка 20 В, происходит
лавинный пробой p-n перехода и электроны, обладающие энергией проникают через ди-
электрик на металлический затвор, после снятия напряжения электроны остаются на за-
творе. Стирание информации производят облучением затвора ультрафиолетом. УФ лучи
создают в диэлектрике тепловые ток и заряд с затвора стекает в подложку. Число циклов
программирования десятки, сотни раз.
РПЗУ-ЭС (электрическое стирание):
Используют двухзатворный транзистор. Добавлен управляющий затвор.
И
n+
З мет С
n+
p
Запись производится аналогично РПЗУ.
Стирание: подается напряжение И-С порядка 20 В, а на затвор подается небольшое
отрицательное напряжение => поле затвора выталкивает электроны из плавающего затво-
ра.
