КТ203Б, КТ 203БМ

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные маломощные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном (КТ203Б) и пластмассовом (КТ203БМ) корпусе с гибкими выводами.

Коэффициент передачи тока в режиме малого сигнала – 30 – 150.

Обратный ток коллектора при U_кб=5 В – не более 1 мкА.

Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме ОБ при U_кб=5 В – не менее 5 МГц.

Емкость коллекторного перехода при U_кб=5 В – не более 10 пФ.

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер – 30 В.

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база – 15 В.

Предельный постоянный ток коллектора – 10 мА.

Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 150 мВт.

КТ501М

Транзисторы кремниевые эпитаксиально-планарные p-n-p усилительные низкочастотные маломощные. Предназначены для применения в усилителях и импульсных устройствах. Выпускаются в металлостеклянном корпусе с гибкими выводами.

Статический коэффициент передачи тока в схеме ОЭ – 40 – 120.

Обратный ток коллектора при U_кб=5 В – не более 1 мкА.

Предельная частота коэффициента передачи тока в схеме ОБ при U_кб=5 В – не менее 5 МГц.

Емкость коллекторного перехода при U_кб=5 В – не более 50 пФ.

Предельное постоянное напряжение коллектор-эмиттер – 60 В.

Предельное постоянное напряжение эмиттер-база – 20 В.

Предельный постоянный ток коллектора – 300 мА.

Предельная постоянная рассеиваемая мощность – 350 мВт.

Примечание. Указанные параметры даны для температуры 298 К.

Приложение 4