Обработка экспериментальных данных

1. Определить крутизну S_макс характеристики, снятой для U_си.нас в точке U_зи=0.

2. Определить напряжение отсечки, используя соотношение

U_отс = 2I_с.нас / S_макс

3. Определить крутизну и внутреннее сопротивление полевого транзистора при U_си > U_си.нас и U_зи=0,4U_отс.

Выполнение отчета

Отчет по лабораторной работе выполняется индивидуально каждым студентом и должен содержать:

1) название и цель работы;

2) схемы проведения измерений с указанием типов измерительных приборов;

3) параметры исследованного полевого транзистора;

4) графики измеренных ВАХ;

5) результаты обработки экспериментальных данных;

6) выводы по результатам работы.

Вопросы для самоконтроля и подготовки к защите

1. Перечислить основные типы полевых транзисторов и дать им краткую характеристику.

2. Нарисовать упрощенную структуру полевого транзистора с управляющим переходом и описать принцип его работы.

3. Нарисовать семейства выходных ВАХ и ВАХ передачи полевого транзистора с управляющим переходом.

4. Каким образом может быть использован полевой транзистор с управляющим переходом при работе на крутой и пологой областях выходных ВАХ?

5. Что такое крутизна полевого транзистора и как она определяется по ВАХ?

6. Что такое напряжения отсечки и как оно определяется по ВАХ?

7. Что такое начальный ток стока и как он определяется по ВАХ?

8. Нарисовать схему снятия ВАХ полевого транзистора с управляющим переходом с n- и p- каналом.

9. Каким образом влияет изменение температуры на ВАХ полевого транзистора с управляющим переходом?

10. Перечислить основные достоинства полевых транзисторов по сравнению с биполярными.

ЛАБОРАТОРНАЯ РАБОТА № 4
ИССЛЕДОВАНИЕ БИПОЛЯРНОГО ТРАНЗИСТОРА
В РЕЖИМЕ ПЕРЕКЛЮЧЕНИЯ

Цель работы – изучение работы биполярного транзистора в ключевом режиме, исследование влияния режима работы транзистора и элементов схемы ключа на длительность переходных процессов в ключевой схеме.