Исследование статических характеристик биполярного транзистора.

Ib=100 мкА

Ib=300 мкА

Ib=500 мкА

Ib=700 мкА

Ib=1000 мкА

Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 1548; Нарушение авторских прав

1.1 Запустить программу Multisim 9. Собрать схему для снятия входных и выходных характеристик транзистора (рис 2.11). Заменить в схеме транзистор на модель, выбранную из таблицы 2 по номеру своего варианта.

2 Установить в схеме режим работы вольтметров и амперметров по постоянному току (DC).

1.3 Снять входные характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером Ib=f(Ub) при Uk = const. Для этого установить первоначальное значение напряжения на коллекторе Uk=1V, значение тока базы Ib=100 мкА, запустить схему кнопкой виртуального выключателя, в таблицу 3 занести значение напряжения базы Ub. Затем менять ток базы до

1000 мкА.. Повторить измерения для напряжения на коллекторе Uk=10V.

Таблица 2 - Модели исследуемых транзисторов.

№ варианта	Модель	№ варианта	Модель	№ варианта	Модель
	BFS17		TIS92		BC337AP
	MPS2924		TIS97		BC546BP
	MPS2925		TIS98		ZTX454
	MRF5812		TIS99		BCX38B
	MRF9011		TN2219		FCX649
	MRF947		TN2219A		FZT604
	MRF9511		ZTX869		ZTX869

Рисунок 2.11 - Схема измерения статических характеристик биполярного транзистора.

Таблица 3 - Входные характеристики транзистора

		Ib=0 мкА	Ib=100 мкА	Ib=300 мкА	Ib=500 мкА	Ib=700 мкА	Ib=900 мкА	Ib=1000 мкА
Uk=1V	Ub, V
Uk=10V

1.4 Снять выходные характеристики биполярного транзистора включенного по схеме с общим эмиттером Ik(Uk) при Ib = const. Результаты измерений - значения тока коллектора Ik занести в таблицу 4.

Таблица 4 - Выходные характеристики транзистора

<== предыдущая лекция	\|	следующая лекция ==>
Порядок выполнения работы	\|	Исследование однокаскадного усилителя напряжения на биполярном транзисторе.