3. По полученной осциллограмме постройте входную характеристику транзистора с общим эмиттером. Для вычисления входного тока разделите напряжение, подаваемое на вход Y на сопротивление R1.
4. При помощи вольтметра измерьте напряжение Uкэ.
5. Изменяя с помощью резистора R2 напряжение между коллектором и эмиттером (Uкэ), получите осциллограммы для двух других значений Uкэ. Обработайте полученные результаты согласно пп. 2-4.
6. Определите h -параметры транзистора (рисунок 4) по полученным семействам входных и выходных характеристик транзисторов.
Контрольные вопросы
1. Устройство биполярного транзистора.
2. Схемы включения биполярного транзистора.
3. Модель биполярного транзистора в режиме большого сигнала.
4. Статические характеристики биполярного транзистора.
5. Поясните различия в статических характеристиках биполярного транзистора в схеме с общим эмиттером и схеме с общей базой.
6. Модель биполярного транзистора в режиме малого сигнала. Параметры биполярного транзистора в этом режиме.
7. Физический смысл h - параметров биполярного транзистора.
Литература
1 Федотов, В.И. Основы электроники: учеб. пособие для учащихся неэлектортех. спец. техникумов / В.И. Федотов. – М.: Высш. шк., 1990.– 288с.
2 Валенко, В.С. Полупроводниковые приборы и основы схемотехники электронных устройств / В.С. Валенко; под ред. А.А. Ровдо.- М.: Издат. дом "Додэка-ХХI", 2001.- 368 с.
3 Основы метрологии и электрические измерения: учебник для вузов / Б.Я. Авдеев [и др.]; под ред. Е.М. Душина.– Л.: Энергоатомиздат. Ленингр. отд-ние, 1987. – 480 с.
4 Тугов, Н.М. Полупроводниковые приборы: учебник для вузов / Н.М. Тугов, Б.А. Глебов, Н.А. Чарыков; под ред. В.А. Лабунцова. – М.: Энергоатомиздат, 1990. – 576 с.