русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Усилительные каскады на МОП – транзисторах


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 5103; Нарушение авторских прав


Усилительные каскады на полевых транзисторах имеют значительно большее входное сопротивление, чем на биполярных транзисторах. Поэтому в настоящее время они получили широкое распространение. В усилительных каскадах применяются полевые транзисторы с управляющим р-n- переходом и МОП - транзисторы с индуцированным и встроенным каналом. Используются три схемы включения транзистора: с общим истоком (ОИ), общим стоком (ОС) и общим затвором (ОЗ) (рисунок 3.5.1-а, -б и -в соответственно). Они являются аналогами соответствующих усилительных каскадов на биполярных транзисторах: ОЭ, ОК. и ОБ.

 
 

Наибольшее распространение получил усилительный каскад с общим истоком. Он, как и каскад ОЭ, позволяет получить наибольшее усиление по мощности. Схемы усилительных каскадов с общим истоком на МОП - транзисторе со встроенным каналом и на МОП- транзисторе с индуцированным каналом приведены на рисунке 3.5.2-а и 3.5.2-б соответственно.

В схемах усилителей на рисунках 3.5.1-а и 3.5.2-а в цепь стока включается нагрузочный резистор RC , на котором выделяется переменная составляющая усиленного напряжения.

 
 

Резистор RЗфиксирует потенциал затвора в режиме покоя на нулевом уровне. Выбор исходного режима транзистора обеспечивается резистором RИ. В режиме покоя напряжение UЗИ =- IИRИотрицательно относительно затвора. Кроме того, резистор RИ создает отрицательную обратную связь по току и стабилизирует режим транзистора. Конденсатор СИ большой емкости шунтирует резистор RИ по переменному току, исключая отрицательную обратную связь для переменного сигнала в области высоких частот. В каскаде на рис. 3.5.2-б в качестве нагрузки RСв цепи стока транзистора Т1используется транзистор Т2, включенный в режиме двухполюсника. Для отпирания транзистора Т1 в исходном режиме на его затвор с помощью делителя R’З, R”Зподается положительное напряжение



Режим транзистора в каскадах на рис. 3.5.1-а и 3.5.2-а можно задать без резистора RИ В каскаде на рисунке. 3.5.2-а МОП - транзистор со встроенным каналом открыт при UЗИ = 0, а в каскаде на рис. 3.5.2-б транзистор T1 открыт напряжением с делителя R’З, R”З. Поэтому исток может соединяться с общей шиной. Однако и в этих каскадах, как правило, включается резистор RИдля стабилизации режима транзистора.

Конденсаторы CР1 и СР2 являются разделительными и выполняют те же функции, что и в усилительных каскадах на биполярных транзисторах.

Ток стока IC является функцией напряжений UЗИи UСИ. Вычислив приращение тока стока

заменив приращения переменными составляющими (∆IC = iС, ∆UЗИ = UЗИ = UВХ, UСИ = UВЫХ ) и учитывая, что

и

получим

(3.5.1)

где S крутизна, a Ri - выходное сопротивление транзистора. Переменную составляющую выходного напряжения можно определить из выходной цепи каскадов (рисунок 3.5.1-а, 3.5.2-а)

(3.5.2)

Знак «-» в выражении (3.5.2) показывает, что с увеличением тока iС выходное напряжение уменьшается.

Решая совместно (3.5.1) и (3.5.2), находят выходное напряжение

(3.5.3)

На рис. 3.5.3 приведена эквивалентная схема выходной цепи усилительного каскада, соответствующая выражению (3.5.3). Из последнего выражения получается коэффициент усиления

(3.5.4)

Знак «-» в выражении (3.5.4) указывает на изменение полярности усиливаемого сигнала. Выходное сопротивление Riсовременных полевых транзисторов составляет 104-105 Ом и на практике выполняется неравенство

Ri>>RC(3.5.5)

С учетом этого коэффициент усиления определяется приближенной формулой

(3.5.6)

Следует заметить, что крутизна транзистора S не является постоянной, а нарастает приблизительно линейно с ростом напряжения UЗИ (ток IС является квадратичной функцией напряжения UЗИ). Поэтому соотношения (3.5.4), (3.5.6) справедливы только для заданной рабочей точки при усилении малых сигналов.

Входное сопротивление усилительных каскадов определяется сопротивлением RЗ, так как входное сопротивление полевых транзисторов между затвором и истокам имеет порядок 105 Ом, а сопротивление RЗ = 104 -106 Ом, т. е. RВХ ≈RЗ. Для каскада на рис. 3.5.2-б

Выходное сопротивление при выполнении неравенства (3.5.5) определяется сопротивлением RC

В усилителе на рис. 3.5.2-б нагрузкой транзистора T1является выходное сопротивление Ri2транзистора T2 (сопротивление между стоком и истоком при UЗИ = UСИ).Оно выражается приближенным соотношением Ri2, ≈ 1/S2, где S2 - крутизна транзистора Т2 при UЗИ = UСИ. Тогда с учетом (3.5.6) коэффициент усиления

(3.5.7)

Для получения Ки>1 необходимо, чтобы S1>S2. Поскольку крутизна МОП- транзистора определяется отношением ширины канала Z к его длине L, можно заключить, что усиление сигнала в каскаде на рисунке. 3.5.2-б возможно лишь тогда, когда нагрузочный транзистор Т2 имеет значительно более узкий и более длинный канал, чем транзистор Т1. Коэффициент усиления усилительных каскадов на МОП- транзисторах не превышает нескольких единиц.

Частотные характеристики усилительных каскадов в области низких частот определяются емкостью разделительного конденсатора СP1 при условии, что конденсатор СР2 отнесен к последующему каскаду и сопротивлением RЗ, т. е. постоянной времени τН =CpRЗ. Нижняя граничная частота ω = 1/τН .В области высоких частот характеристики определяются паразитными емкостями транзистора (СЗИ, ССИ, ССЗ, ССП) и нагрузки СН. Суммарная паразитная емкость выходной цепи усилительного каскада СоСИ + ССП + СН, постоянная времени τВ= С0RC, а верхняя граничная частота ω = 1/τВ .

Наряду с усилительными каскадами с общим истоком в электронных устройствах применяют усилительный каскад с общим стоком (ОС), который является аналогом эмиттерного повторителя и называется истоковым повторителем (рис 3.5.1-б) В этом каскаде нагрузочный резистор RИ включен в цепь истока, а по переменным составляющим через источник ЕС соединен с общей шиной.

Если сопротивление резистора RИудовлетворяет неравенству RИ <<Ri , то коэффициент передачи напряжения и выходное сопротивление определяются приближенными формулами:

Входное сопротивление определяется резистором RЗ т. е. RВХ = RЗ.

Истоковый повторитель имеет большое входное и малое выходное сопротивления, не меняет полярность входного сигнала, его коэффициент передачи близок к единице.

Усилительный каскад с общим затвором (рисунок 3.5.1.-в) является аналогом каскада ОБ и применяется тогда, когда надо снизить уровень шумов, создаваемых затвором, а также в составе каскодного усилителя.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Усилительный каскад с общей базой | Каскодный усилитель


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.004 сек.