ЗАДАНИЕ

3.1. Измерить вольтфарадную характеристику p-n-перехода при обратных напряжениях.

3.1.1. Для измерения вольтфарадной характеристики диода используется схема установки согласно рисунка 3.1.

Рис.3.1. Схема установки для измерения вольтфарадной характеристики

3.1.2.Установить органы управления на приборах в следующие положения:

3.1.3. Соединить кабелями и проводами все вышеперчисленные приборы с макетом в соответствии со схемой. Обратить особое внимание на правильность подключения Б5-44 к макету по полярности.

3.1.4. Измерение вольтфарадной характеристики диода (ВФ)

- включить все приборы в сеть;

- поставить переключатель «ВФ» – «ВА» на макете в положение «ВФ» и ручкой « » генератора Г3-109 установить показания по шкале В3-38 равные 2. Данное показание считать за нулевое при отсчете величины емкости;

- вставить в гнездо макета «ДИОД» емкость и откалибровать шкалу В3-38 (определить: сколько пФ соответствует большим и малым делениям шкалы);

- вставить в гнездо макета «ДИОД» полупроводниковый диод Д223 в обратной полярности, указанной на макете и подавая от источника Б5-44 напряжение, вначале через 0,1 В, а затем через 1 В, снять вольтфарадную характеристику диода С=f(U);

- проделать те же измерения для диода КД522;

- сравнить характеристики и сделать выводы.

3.2. Измерить прямую ветвь вольтамперной характеристики диода.

3.2.1. Для измерения вольтамперной характеристики диода используется схема установки согласно рис. 3.2.

Рис.3.2. Схема установки для измерения вольтамперной характеристики

3.2.2. Измерения вольтамперной характеристики диода (ВА)

- установить тумблер на макете «ВФ-ВА» в положение «ВА»;

- вставить в гнездо макета «ДИОД» полупроводниковый диод В223, соблюдая полярность, указанную на макете (прямая полярность), и подавая от источника Б5-44 напряжение через 0,1 В, снять зависимость тока от напряжения I=f(U).Учесть, что начало зависимости определяется по шкале 5mA (тумблер «5 mA-50 mA» в положении «5 mA», затем – «50 mA»);

- проделать аналогичные измерения для диода Д310;

- сравнить полученные характеристики и сделать выводы.

3.2.3. Провести анализ полученных ВАХ и ВФХ. Объяснить различие в характеристиках для исследуемых диодов.

3.3. Построить функции (S/C)² и (S/C)³ в зависимости от обратного напряжения и определить характер p-n-перехода.

3.4. Построить вольтамперную характеристику.

3.5. Определить величину контактной разности потенциалов по вольтамперной и вольтфарадной характеристикам, сравнить полученные результаты.

3.6. Для резкого p-n-перехода рассчитать концентрацию примесей в базе диода по вольтфарадной, вольтамперной характеристикам и пробивному напряжению.

3.7. Для плавного p-n-перехода по вольтамперной характеристике рассчитать концентрацию примесей в базе, по вольтфарадной характеристике и пробивному напряжению рассчитать градиент концентрации примесей в p-n-переходе. Полученные результаты сравнить и объяснить их расхождение.