русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Лавинный пробой


Дата добавления: 2015-07-23; просмотров: 1039; Нарушение авторских прав


Резкий рост тока, показанный на рис. 1.9, связан с лавинным увеличением количества носителей в обратно включенном p-n- переходе.

Параметром процесса лавинного умножения носителей является коэффициент умножения М:

M = (N1 + N2) / N1 (1.37)

где N1 – число носителей, поступивших в переход;

N2– число носителей, покинувших переход;

Существует эмпирическая формула для вычисления коэффициента умножения М:

М = 1/ [1 – (U / UЛАВ )n] ; UЛАВ = aρm (1.38)

где ρ – удельное сопротивление материала [0м·м].

Напряжение лавинного пробоя зависит от рода материала, удельного сопротивления и типа перехода.

Для лавинного пробоя характерен резкий рост обратного тока при практически неизменном обратном напряжении.

Коэффициенты для расчета M приведены в таблице 1.2.

Таблица 1.2

    Материал перехода Тип перехода a m n
Ge n+ - p 0.60 6.0
Ge p+ - n 0.60 3.0
Si 0.65 3.5
Si n+ - p 0.75 2.0

 

1.7.2. Туннельный пробой

Туннельный пробой развивается, если напряженность электрического поля в переходе оказывается , что возможно при очень высокой концентрации примесей, когда ширина перехода становится малой, порядка 0,01 мкм. Высокое значение напряженности электрического поля, воздействуя на атомы кристаллической решетки, повышает энергию валентных электронов и приводит к их туннельному «просачиванию» сквозь «тонкий» энергетический барьер из валентной зоны р- области в зону проводимости n- области. Это «просачивание» происходит без изменения энергии носителей. Величина напряжения туннельного пробоя обратно пропорциональна концентрации носителей. Значения пробивных напряжений для туннельного пробоя не превышают нескольких вольт. Для туннельного пробоя, также как и для лавинного, характерен резкий рост обратного тока при практически неизменном обратном напряжении.



 

1.7.3. Тепловой пробой

Тепловой пробой возникает вследствие разогрева объема материала проходящим через него током при недостаточном теплоотводе, яляется необратимым. Происходит с разрушением p-n- перехода. В режиме постоянного тока мощность, подводимая к p-n- переходу есть

PРАСС = Uобр Iобр (1.39)

Эта мощность идет на разогрев перехода, увеличивает термогенерацию электронов и дырок в обратновключенном p-n- переходе, что вызывает дальнейшее возрастание обратного тока, определяемого соотношением (1.20). Для предотвращения теплового пробоя необходимо выполнение условия:

, PРАСС = Uобр Iобр < PДОП,

где PДОП – допустимая мощность рассеяния p-n- перехода.

На рис. 1.9 приведены характеристики лавинного, туннельного и теплового видов пробоя.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Виды пробоя электронно-дырочного перехода | Поверхностный пробой


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.543 сек.