ОСНОВНЫЕ ПОНЯТИЯ И РАСЧЕТНЫЕ ФОРМУЛЫ

1.1. ФИЗИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ В р-n-ПЕРЕХОДЕ

Основным элементом большинства полупроводниковых приборов является электронно-дырочный переход (р-n-переход), представляющий собой переходный слой между двумя областями полупроводника, одна из которых имеет электронную электропроводность, а другая — дырочную.

1.1.1. Образование p-n перехода. p-n переход в равновесном состояние

Рассмотрим подробнее процесс образования p-n перехода. Равновесным называют такое состояние перехода, когда отсутствует внешнее напряжение. Напомним, что в р-области имеются два вида основных носителей заряда: неподвижные отрицательно заряженные ионы атомов акцепторной примеси и свободные положительно заряженные дырки; а в n-области имеются также два вида основных носителей заряда: неподвижные положительно заряженные ионы атомов акцепторной примеси и свободные отрицательно заряженные электроны.

До соприкосновения p и n областей электроны дырки и ионы примесей распределены равномерно. При контакте на границе p и n областей возникает градиент концентрации свободных носителей заряда и диффузия. Под действием диффузии электроны из n области переходит в p и рекомбинирует там с дырками. Дырки из р области переходят в n-область и рекомбинируют там с электронами. В результате такого движения свободных носителей заряда в приграничной области их концентрация убывает почти до нуля и в тоже время в р области образуется отрицательный пространственный заряд ионов акцепторной примеси, а в n области положительный пространственный заряд ионов донорной примеси. Между этими зарядами возникает контактная разность потенциалов φ_к и электрическое поле Е_к, которое препятствует диффузии свободных носителей заряда из глубины р и n областей через р-n переход. Таким образом область, объединённая свободными носителями заряда со своим электрическим полем и называется р-n переходом.

P-n-переход характеризуется двумя основными параметрами:

1. высота потенциального барьера. Она равна контактной разности потенциалов φ_к,. Это разность потенциалов в переходе, обусловленная градиентом концентрации носителей заряда. Это энергия, которой должен обладать свободный заряд чтобы преодолеть потенциальный барьер:

где k — постоянная Больцмана; е — заряд электрона; Т — температура; N_а и N_Д — концентрации акцепторов и доноров в дырочной и электронной областях соответственно; р_р и р_n — концентрации дырок в р- и n-областях соответственно; n_i — собственная концентрация носителей заряда в нелигированном полупроводнике, j_т=кТ/е - температурный потенциал. При температуре Т=27⁰С j_т=0.025В, для германиевого перехода j_к=0,6В, для кремниевого перехода j_к=0,8В.

2. ширина p-n-перехода (рис.1) – это приграничная область, обеднённая носителями заряда, которая располагается в p и n областях: l_p-n = l_p + l_n:

, отсюда ,

где ε — относительная диэлектрическая проницаемость материала полупроводника; ε₀ — диэлектрическая постоянная свободного пространства.

Толщина электронно-дырочных переходов имеет порядок (0,1-10)мкм.

Если , то и p-n переход называется симметричным, если , то и p-n переход называется несимметричным, причём он в основном располагается в области полупроводника с меньшей концентрацией примеси.

В равновесном состоянии (без внешнего напряжения) через р-п переход движутся два встречных потока зарядов (протекают два тока). Это дрейфовый ток неосновных носителей заряда и диффузионный ток, который связан с основными носителями заряда. Так как внешнее напряжение отсутствует, и тока во внешней цепи нет, то дрейфовый ток и диффузионный ток взаимно уравновешиваются и результирующий ток равен нулю

I_др + I_диф = 0.

Это соотношение называют условие динамического равновесия процессов диффузии и дрейфа в изолированном (равновесном) p-n- переходе.

Поверхность, по которой контактируют p и n области называется металлургической границей. Реально она имеет конечную толщину - δ_м. Если δ_м<< l_p-n, то p-n-переход называют резким. Если δ_м>>l_p-n, то p-n-переход называют плавным.