Завдання

1. Законспектувати схеми індуктивної та ємнісної триточки, зазначивши принцип формування зсуву фаз на 360 для забезпечення збудження.

2. Законспектувати схеми RC-генераторів з фазообертальним колом на базі трьох RC-ланок, та на операційному підсилювачі (ОП).

Питання для самоконтролю

1. Поясніть призначення елементів схем індуктивної та ємнісної триточок.

2. На скільки градусів забезпечує зсув по фазі одна фазообертальна ланка?

3. Скільки фазообертальних ланок потрібно для забезпечення умови самозбудження?

4. Що таке R-паралель, C-паралель?

Тема 1.11 Імпульсні генератори

Мета: Закріплення вивченого матеріалу та розширення знань щодо імпульсного режиму роботи пристроїв та реалізації ключових схем на транзисторах різного типу.

Кількість годин 2

Питання для розгляду

1. Види і параметри імпульсів та послідовності імпульсів [7], с.128-130

2. Ключові схеми на МОН-транзисторах [3], с. 83-85

Завдання

1. Замалювати імпульси і законспектувати основні параметри окремого імпульса, послідовності імпульсів, та формули визначення скважності та коефіціїнта заповнення.

2. Законспектувати ключові схеми на МОН-транзисторах, та принцип їх роботи.

Питання для самоконтролю

1. Намалювати послідовність імпульсів прямокутної форми та вказати їх амплітуду, тривалість імпульсів та визначити період їх надходження і коефіцієнт заповнення.

2. Як пов’язані між собою частота надходження імпульсів та період?

3. Намалювати реальний імпульс та вказати спад вершини, викид імпульсу, тривалість фронту та зрізу.

4. Перелічіть переваги та недоліки ключів на МОН-транзисторах порівняно з ключами на біполярних транзисторах.