Мета: засвоїти методи розрахунку елементів схем підсилювачів, ознайомитись зі схемами багато каскадних підсилювачів.
Порядок виконання роботи
11.1. Запустіть Electronics Workbench за допомогою ярлика.
11.2. Завдання 1: Дослідитиоднокаскадний підсилювач.
11.2.1. Розрахуйте значення опорів Rb1 і Rb2 схеми резистивного каскаду підсилювача з фіксованою напругою зміщення на базі (рис. 11.1), в якій резистори Rb1 і Rb2, послідовно підключені до джерела живлення Uс, складають дільник напруги. При оптимальних значеннях опорів резисторів струм Іd , що по ним протікає, створює потрібну незмінну напругу зміщення, якою і зміщується точка спокою транзистора (середнє значення робочої точки А на навантажувальній характеристиці). В розрахунку використовуйте дані, отримані в попередній лабораторній роботі для транзистора 2N2222 та наступні формули:
11.2.2. Складіть схему, наведену на рис. 11.2, яка дозволяє досліджувати однокаскадний підсилювач на біполярних транзисторах. Встановіть в схемі розрахункове значення Rb2*; значення опорів резисторів Rb1, Rb2, Rb3 прийняти рівними відповідно 0,8· Rb1*, Rb1*, 1,2· Rb1*.
11.2.3. Подайте на вхід підсилювача синусоїдальну напругу Uвх m = 10 mV, F = 1 kHz і для кожного з опорів Rb1, Rb2, Rb3 зняти осцилограми вхідної та вихідної напруг (точки 1, 2, 3). Поясніть отримані осцилограми, особливо наявність зсуву фази φ = 180°.
11.2.4. Активізуйте аналізатор частотних характеристик і зніміть залежність коефіцієнта підсилювання КU від частоти вхідного сигналу F при Rb2, що дорівнює розрахунковому Rb1* та фазовий зсув Uвих відносно Uвх. Заповнити таблицю 11.1 (8÷10 значень F в робочому діапазоні).
Рис. 11.2.
Таблиця 11.1.
F, kHz
KU
φ, град
Рис. 11.3.
11.2.5. Збільшіть в два рази значення перехідних ємностей Сd1 і Cd2 та зменшити в два рази значення «паразитної» ємності Ср. Повторіть п. 11.2.4. Поясніть зміни в залежностях KU(F) і φ(F), побудувавши їх на одному графіку.
Визначіть смугу підсилення на рівні 0,707К0, де К0 – середнє значення KU в середині робочого діапазону.
11.3. Завдання 2: Дослідитипідсилювач на польовому транзисторі.
11.3.1. Складіть схему, наведену на рис. 11.3, яка дозволяє досліджувати підсилювач на польовому транзисторі.
Для двох значень Rd (3,5 kOhm та 7,0 kOhm) отримайте осцилограми Uвх(t) і Uвих(t), визначіть і зробіть висновок щодо впливу Rd на KU. Поясніть роль опору R3, що є в колі витоку «s». Параметри вхідного сигналу, які необхідно встановити на генераторі: Uвх m = 50 mV, F = 1 kHz.
11.4. Завдання 3: Дослідитидвокаскадний підсилювач на транзисторах.
11.4.1. Складіть схему, наведену на рис. 11.4, яка дозволяє проводити дослідження двокаскадного підсилювача на транзисторах. Поясніть призначення кожного елемента схеми.
Рис. 11.4.
11.4.2. Подайте на вхід синусоїдальний сигнал Uвх m = 10 mV, F = 1 kHz. Зніміть осцилограми вхідної та вихідної напруги Uвих m 1 для першого каскаду підсилення (токи 1, 2), потім для двох каскадів Uвих m 2 (токи 1, 3). Визначіть KU 1 та KUзаг. Доведіть, що KUзаг = KU 1· KU2.
11.5. Знайти несправності в схемі.
11.5.1. Спираючись на показання приладів в схемі на рис. 11.5, визначіть значення якого з елементів схеми слід змінити, щоб забезпечити роботу підсилювача на середині лінійного діапазону (в класі А).