Полевые транзисторы на основе металлооксидной пленки

Управление током, протекающим через полевой транзистор на основе металлооксидной пленки (МОП-транзистор или MOSFET), также осуществляется с помощью электрического поля, прикладываемого к затвору.

В Electronics Workbench имеется восемь типов МОП-транизсторов:

− четыре типа МОП-транзисторов со встроенным каналом;

− четыре типа МОП-транзисторов с индуцированным каналом.

МОП-транзистор со встроенным каналом. Подобно полевым транзисторам с управляющим p–n-переходом, МОП-транзистор со встроенным каналом состоит из протяженной области полупроводника, называемой каналом. Для р-канального транзистора эта область является полупроводником р-типа, для n-канального транзистора – n-типа.

Трехвыводной n-канальный МОП-транзистор со встроенным каналом.

Трехвыводной p-канальный МОП-транзистор со встроенным каналом.

Четырехвыводной n-канальный МОП-транзистор со встроенным каналом.

Четырехвыводной p-канальный МОП-транзистор со встроенным каналом.

МОП-транзисторы с индуцированным каналом не имеют физического канала между истоком и стоком, как МОП-транзисторы со встроенным каналом. Вместо этого область проводимости может расширяться на весь слой двуокиси кремния. МОП-транзистор с индуцированным каналом работает только при положительном напряжении исток-затвор.

Трехвыводной n-канальный МОП-транзистор с индуцированным каналом.

Трехвыводной p-канальный МОП-транзистор с индуцированным каналом.

Четырехвыводной n-канальный МОП-транзистор с индуцированным каналом.

Четырехвыводной p-канальный МОП-транзистор с индуцированным каналом.