Для того чтобы в расчетах можно было пренебречь падением напряжения между электродами насыщенного транзистора, напряжение Eбдолжно быть не менее (2-3)В. Верхний предел Eбпринципиально не ограничен. Однако мощность, отбираемая от источника базового смещения Pб,выделится в основном в R2 и растет с увеличеним Eб. С увеличеним Eбтакже ухудшаются временные параметры усилителя. Поэтому можно рекомендовать напряжения Eб выбирать при условии на уровне (3-5) В.