русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Управление силовым транзистором


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 1003; Нарушение авторских прав


 

Транзистор с индуцированным каналом с низким пороговым напряжением может управляться непосредственно выходным напряжением логических ИМС ТТЛ и КМОП.

Управление при помощи КМОП–схем не обеспечивает большой скорости переключения, потому что их выходной ток мал и не может быстро перезарядить входную емкость мощного транзистора. Для уменьшения времени перезаряда можно соединить параллельно несколько маломощных КМОП–схем или усиливать выходной ток двухтактным эмиттерным повторителем (см. рис.3.6).

При управлении ИМС ТТЛ низкое напряжение питания (обычно 5В) и большое внутреннее сопротивление источника управления ограничивают уровень напряжения на затворе и время включения транзистора. На рис.3.7 показан способ уменьшения выходного сопротивления.

Еще лучше результаты получаются при использовании ИМС с открытым коллектором (рис.3.8).

 

Рис. 3.7 Рис. 3.8

 

На рис.3.9 показан способ управления с помощью импульсного трансформатора. При появлении положительного напряжения на его вторичной обмотке входная емкость МДП-транзистора заряжается через внутренний паразитный диод VD транзистора VT1. Входная емкость остается заряженной до смены полярности управляющего напряжения. Когда транзистор VT1 отпирается, он быстро разряжает входную емкость силового транзистора, тем самым запирая его.

Рис.3.9

 




<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Выходные устройства на базе ИМС КМОП | Основы выбора и расчета


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.004 сек.