Импульсные диоды.

Импульсные диоды предназначены для работы в быстродействующих импульс­ных схемах. Основными отличительными особенностями импульсных диодов, так же как и высокочастотных, является малая площадь р-п-перехода и небольшое время жизни неравновесных носителей заряда. Основным параметром импульс­ных диодов является время восстановления обратного сопротивления , кото­рое у сверхбыстродействующих диодов составляет несколько наносекунд. Для импульсных диодов указывают также параметры, характерные для выпрямитель­ных диодов. Конструкция и технология изготовления импульсных диодов анало­гичны конструкции и технологии изготовления обычных высокочастотных диодов.

В быстродействующих импульсных схемах широко используют диоды Шотки, площадь перехода которых обычно составляет 20-30 мкм в диаметре, а барьер­ная емкость не превышает 1 пФ. Особенностью диодов Шотки является отсут­ствие инжекции неосновных носителей заряда в полупроводник. Основным-фак­тором, влияющим на длительность переходных процессов, является перезаряд барьерной емкости. Диоды Шотки могут работать на частотах до 15 ГГц, а время переключения у них составляет около 0,1 нс.

В импульсных схемах, формирующих импульсы с крутыми фронтами, применяют диоды с накоплением заряда (ДНЗ). В этих диодах примесь в базе распределена неравномерно: концентрация ее больше в глубине базы и меньше возле р-п-перехода, вследствие чего возникает внутреннее электрическое поле. Это поле препятствует проникновению в глубину базы инжектированных дырок, то есть обеспечивает их группирование около границы р-п-перехода. Кроме того, это поле способствует освобождению базы от дырок на второй стадии восстановления обратного сопротивления (стадия ), в результате чего уменьшается отношение до значений порядка 0,02-0,03, то есть отрицательный импульс получается практически прямоугольным.