Кафедра «Электроснабжение железнодорожного транспорта»
Полупроводниковые выпрямительные диоды
Отчет по лабораторной работе № 1
по дисциплине «Электроника»
ИНМВ. 600001. 000
Студенты гр.40А
В. А. Деринг
Ю. В. Прохоренко
Руководитель –
доцент кафедры ЭЖТ
Е. Ю. Салита
Омск 2012
Цель работы:ознакомиться с устройством, принципом действия и конструктивным исполнением полупроводникового диода; изучить его свойства, статические характеристики и параметры; овладеть методикой их расчета.
Краткие теоретические сведения
Полупроводниковым диодом называют прибор, представляющий собой двухслойную монокристаллическую структуру с одним p-n-переходом и двумя выводами. Такой диод имеет одностороннюю проводимость, которая обеспечивается особыми свойствами электронно-дырочного перехода, кратко называемого p-n-переходом.
Для изготовления диодов применяются германий и кремний (арсенид, фосфид галлия и др.). Для снижения удельного сопротивления диодов применяется легирование.
При соприкосновении двух полупроводников с различными типами электропроводности происходит образование p-n-перехода (рис. 1), а именно в их пограничном слое происходит рекомбинация электронов и дырок. В результате образуется слой обладающий высоким электрическим сопротивлением, – запирающий слой (рис. 1, а). Толщина запирающего слоя l обычно не превышает нескольких микрометров.
Рис. 1. Схема образования p-n перехода
Этот слой определяет контактную разность потенциалов (потенциальный барьер) ∆φк (рис. 1, б). Однако происходит снижение ∆φк, следовательно часть основных носителей преодолеет барьер. Появляется диффузионный ток Iдиф, который направлен навстречу дрейфовому Iдр, т. е. возникает динамическое равновесие, при котором Iдр = Iдиф.
Если внешнее напряжение, создающее в запирающем слое электрическое поле напряженностью Евн, и совпадающее по направлению с полем неподвижных ионов напряженностью Езап (рис. 2, а), то в этом случае ток называется обратным, а p-n-переход – закрытым.
Рис. 2. Схема электронно-дырочного перехода во внешнем
электрическом поле
При противоположной полярности источника напряжения (рис. 2, б) возникает прямой ток, переход при этом является открытым.
Основной характеристикой диода является ВАХ, выражающая зависимость тока и напряжения (рис. 3).
Рис. 3. Условное графическое и позиционное обозначения (а) и ВАХ (б)