При приложении внешнего напряжения к диоду в прямом направлении («+» на анод, а « - » на катод) уменьшается потенциальный барьер, увеличивается диффузия – диод открыт, сопротивление его невелико. Следовательно, подсоединение источника тока в прямом направлении создает большой ток. При этом может выделиться такое количество тепла, которого достаточно для разрушения диода. Для ограничения тока последовательно с диодом необходимо подключить резистор (рис.5). Когда диод начинает проводить ток, на нем появляется падение напряжения, которое называется прямым (Uпр).
Рисунок 5 – Прямое смещение диода
При приложении напряжения в обратном направлении увеличивается потенциальный барьер, прекращается диффузия – диод закрыт. Он не будет проводить ток, т.е. будет смещен в обратном направлении (рис.6).
Рисунок 6 – Обратное смещение диода
Рисунок 7 – ВАХ диода
Вольтамперная характеристика (рис.7) реального диода проходит ниже, чем у идеального p-n перехода: сказывается влияние сопротивления базы. После точки А вольтамперная характеристика будет представлять собой прямую линию, так как при напряжении Uа потенциальный барьер полностью компенсируется внешним полем. Кривая обратного тока ВАХ имеет наклон, так как за счёт возрастания обратного напряжения увеличивается генерация собственных носителей заряда.
