русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Лабораторная работа № 2


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 1654; Нарушение авторских прав


Тема: “ Электрические свойства полупроводниковых сопротивлений”

 

Факультет: ЭлМ

 

Выполнили студенты

группы 022-0702:

Васильев А.С.

Епанешников И.А.

Усов М.С.

 

Проверил: Иванов Е.А.

 

 

Псков

Цель работы: Исследование основных свойств полупроводниковых сопротивлений:

а) термосопротивлений (или термисторов, ТС),

б) фотосопротивлений (ФС),

в) сопротивлений, нелинейно изменяющих свои свойства в зависимости от напряженности электрического поля (НПС).

 

1. Принципиальные схемы испытательных установок (№1, №2, №3 и №4 соответственно рис.1, рис.2, рис.3 и рис.4).

 

 

 

Рис.1 Схема для снятия зависимости сопротивления ТС от температуры:

Т - термостат (1500С); Тр - термометр; ТС - термосопротивление; МО-56 - мост постоянного тока.

 

Рис.2 Схема для снятия вольтамперных характеристик термосопротивления:

ЛАТР - автотрансформатора с плавным регулированием; V - вольтметр (0¸50¸200в);

мВ - милливольтметр; ТС - термосопротивление; К1 - ключ для включения схемы;

К2 – ключ для включения в схему термосопротивления.

 

Рис.3 Схема для снятия зависимости сопротивления ФС от освещенности:

ЛАТР- автотрансформатор с плавным регулированием; V - вольтметр (200 В);

Л - лампа (40 Вт , 127 В); ФС - фотосопротивление; К - ключ для подключения к схеме питания от сети; МО-56 - мост постоянного тока.

 

Рис.4 Схема для снятия зависимости сопротивления ФС от освещенности:

ЛАТР- автотрансформатор с плавным регулированием; П - переключатель; V - вольтметр (0¸50¸200В); R0 - образцовое сопротивление, равное 10.000 Ом; R - сопротивление, напряжение на котором прямо пропорционально току, идущему через НПС (»12 В) НПС - испытуемое нелинейное полупроводниковое сопротивление; ОСЦ - осциллограф; К - ключ для подключения питания к схеме.



 

2. Результаты определения зависимости сопротивления термистора от температуры приведены в таблице 1.

Таблица 1 – результаты зависимости сопротивления термистора

t, o C T, К 1/Т, 1/К Rx, МОм s, МОм -1 lns
0,003413 0.00171 6.37
0,003355 0.00133 6.62
0,003300 0.00125 6.68
0,003246 0.00110 6.81
0,003195 0.00100 6.9
0,003144 0.00081 7.12
0,003096 0.00069 7.28
0,003048 0.00060 7.41
0,003003 0.00052 7.56
0,002958 0.00045 7.7
0,002915 0.00039 7.85
0,002873 0.00035 7.96
0,002833 0.00033

Определили электропроводность ТС при различных температу­рах по формуле (1).

Формула (1):

(мОм-1) - пример расчета для t=20оС

 

3. График зависимости по данным таблицы 1 (по оси абсцисс откладывали , а по оси ординат - ) приведён на рисунке 1

1/Т, К

 

рис.1 – график зависимости ln =f(1/T) для термистора

 

4. Определение работы переброса электрона в незаполненную зону W на основании полученной прямой. Для этого уравнение электропроводности полупроводников логариф­мируют В полученное уравнение из графика подставляют два любых значения и соответствующиеимзначения ; по системе двух уравнений с двумя неизвестными находят W (эрг), величину которой затем переводят в электрон-вольты: 1 эв = 4.8 × 10-10×С× G× S× E×1/300 = 1,6 × 10-12 [эрг]

Решили систему:

Получили: (эрг). Переведем в электрон-вольты:

(эВ)

 

 

5. Снятие вольтамперных характеристик термосопротивления при различном времени протекания тока приведены в таблице 2.

Таблица 2 – снятие вольтамперных характеристик при различном времени протекания тока

t, сек U1,В U2,В U3,В U4,В U5,В U6,В U7,В U8,В U9,В U10,В
0,287 0,3 0,387 0,662 0,861 1,195 1,598 1,87 2,37 2,67
0,3 0,314 0,528 0,721 0,987 1,327 1,725 2,03 2,47 2,75
0,306 0,32 0,556 0,763 1,054 1,408 1,87 2,11 2,5 2,81
0,31 0,326 0,583 0,79 1,102 1,468 1,88 2,16 2,54 2,84
    I 2,87 3,87 6,62 8,61 11,95 15,98 18,7 23,7 26,7
3,14 5,28 7,21 9,87 13,27 17,25 20,3 24,7 27,5
3,06 3,2 5,56 7,63 10,54 14,08 18,7 21,1 28,1
3,1 3,26 5,83 7,9 11,02 14,68 18,8 21,6 25,4 28,4

6. График четырех кривых t = 10, 20, 30, 40 сек., построенный по дан­ным таблицы 2 (по оси абсцисс откладывали напряжение U , а по оси ординат - ток I) приведён на рисунке 2. Для построения нашли значение I для каждого значения U по формуле (2).

Формула (2):

,

где Ом.

(А) - пример расчета для В.

рис.2 – график зависимости I=f(U) для четырёх кривых

7. Результаты определения зависимости электропровод­ности фотосопротивления от освещенности приведены в таблице 3.

 

Таблица 3 – результаты определения зависимости электропроводности фотосопротивления от освещённости

U, В
Rx, кОм 59.6 51.6 43.5 36.5 32.5 28.5 25.5 24.4 21.5 20.5
s, кОм-1 0,0168 0,0194 0,0230 0,0274 0,0308 0,0351 0,0392 0,0410 0,0465 0,0488
Еф, св 1,229 1,546 1,924 2,371 2,895 3,508 4,218 5,037 5,975 7,047
U, В
Rx, кОм 18.5 16.5 15.5 14.5 13.5
s, кОм-1 0,0541 0,0556 0,0500 0,0556 0,0588 0,0606 0,0625 0,0645 0,0690 0,0741
Еф, св 8,264 9,641 11,193 12,935 14,883 17,055 19,470 22,146 25,103 31,946

 

Силу света лампы вычислили по формуле (3).

Формула (3) :

,

где Еф - средняя сила света (световой поток в единичном телесном угле), св;

Еф0=50 св - сила света лампы накаливания 40 Вт при номинальном напряжении на ней;

U0=220 В - номинальное напряжение на лампе накалива­ния.

Для каждого напряжения, поданного на лампу, по вышеприведенной формуле (3), вычислили Еф.

(св)

Электропроводность s вычисли по формуле (1).

 

8.График зависимости по данным таблицы 3 приведён на рисунке 3

 

рис.3 – график зависимости σ = f(Eф)

 

9. Вольтамперные характеристики НПС приведены в таблице 4.

Таблица 4 – вольтамперные характеристики НПС

U, В U1., В UНПС, В I1, мА b
0,87 19,4 0,087 2,287
1,08 24,1 0,108
1,44 28,6 0,144
2,46 32,7 0,246
3,38 36,8 0,338
4,63 40,6 0,463
6,11 44,2 0,611
7,8 47,7 0,78
9,65 50,9 0,965
11,78 54,1 1,178
56,9 1,4
59,6 1,7
62,1 1,9

 

 

10. График зависимости , построенный по данным таблицы 9 (по оси абсцисс откладывали напряжение , а по оси ординат - ток ) приведён на рисунке 4.

Для построения нашли значение I для каждого значения U1 по формуле (2).

Формула (2):

,

 

где кОм.

 

(А) - пример расчета для В.

 

рис.4 – график зависимости

 

11. Вычисление коэффициента нелинейности НПС b по формуле (3). При этом берутся два значения напряжения и соответствующие им токи. Из графика видно, что: i1=1,4 мА; i2=1,9 мА; U1=70 В; U2=80 В.

Формула (3):

 

 
 


 

12. Выводы:

1) из графика 1 видно, что при повышении температуры электропроводность сопротивление термистора увеличивается (электропроводность уменьшается);

2) из графика 2 видно, что с увеличением времени протекания тока растёт сила тока и напряжение на термосопротивлении;

3) из графика 3 видно, что с увеличением напряжения на лампе линейно увеличивается сила света лампы и сопротивление на ней;

4) из графика 4 видно, что с увеличением напряжения НПС растёт и его ток.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
IV. Построить графики снятых зависимостей в масштабе, удобном для расчета параметров. | 


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.007 сек.