Пиктограмма универсального моста.
Назначение: моделирует универсальный мост.
Модель позволяет выбирать количество плеч моста (от 1 до 3), вид полупроводниковых приборов (диоды, тиристоры, идеальные ключи, а также полностью управляемые тиристоры, IGBT- и MOSFET-транзис-торы, шунтированные обратными диодами). В модели можно выбрать вид зажимов A, B и C (входные или выходные) (рис. 7а).
Окно задания параметров: параметры блока (рис. 7б).
Number of bridge arms — число плеч моста. Выбирается из списка: 1, 2 или 3.
Port configuration — конфигурация портов. Параметр задает зажимам порта статус входных или выходных зажимов. Значение параметра выбирается из списка:
· ABC as input terminals — зажимы A, B и С являются входными;
· ABC as output terminals — зажимы A, B и C являются выходными.
Snubber resistance Rs (Ohm) — сопротивление демпфирующей цепи (Ом).
Snubber capacitance Cs (F) — емкость демпфирующей цепи (Ф).
Power Electronic device — вид полупроводниковых устройств моста. Значение параметра выбирается из списка:
· Diodes — диоды;
· Thyristors — тиристоры;
· GTO/Diodes — полностью управляемые тиристоры, шунтированные обратными диодами;
· MOSFET/Diodes — MOSFET-транзисторы, шунтированные обратными диодами;
· IGBT/Diodes — IGBT-транзисторы, шунтированные обратными диодами;
· Ideal Switches — идеальные ключи. Measurements — измеряемые переменные.
Параметр для выбора передаваемых в блок Multimeter переменных, которые можно наблюдать с помощью блока Scope . Значения параметра выбираются из списка:
· None — нет переменных для отображения;
· Device voltages — напряжения на полупроводниковых устройствах;
· Device currents — токи полупроводниковых устройств;
· UAB UBC UCA UDC voltages — напряжения на зажимах моста;
· All voltages and currents — все напряжения и токи моста.
Отображаемым сигналам в блоке Multimeter присваиваются метки:
· Usw1, Usw2, Usw3, Usw4, Usw5, Usw6 — напряжения на ключах;
· Isw1, Isw2, Isw3, Isw4, Isw5, Isw6 — токи ключей;
· Uab , Ubc, Uca, Udc — напряжения на зажимах моста.
Кроме приведенных выше параметров в окне диалога задаются параметры для выбранных полупроводниковых приборов.