русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Силовой полевой транзистор MOSFET


Дата добавления: 2015-09-15; просмотров: 1211; Нарушение авторских прав


Пиктограмма полевого транзистора.

Выходной порт блока m предназначен для формирования векторного Simulink-сигнала из двух составляющих — тока «сток-исток», напряжения «сток-исток» транзистора.

Назначение: моделирует силовой полевой транзистор с параллельно включенным обратным диодом.

Модель MOSFET-транзистора состоит из резистора Ron, индуктивности Lon и ключа SW, включенных последовательно (рис. 6,а и 6б). Работой ключа управляет блок логики. Включение прибора происходит при положительном напряжении «сток-исток» и положительном сигнале (g > 0) на затворе. Выключается прибор при уменьшении сигнала на затворе до нуля (g= 0). В случае отрицательного напряжения «сток-исток» транзистор находится в выключенном состоянии, а ток проходит через обратный диод. В модели параллельно самому прибору включена демпфирующая цепь из последовательно соединенных резистора и конденсатора. На рис. 6в представлены статические вольтамперные характеристики модели полевого транзистора MOSFETдля включенного и выключенного состояний.

Рис. 6. Схема замещения транзистора MOSFET (а) в виде набора элементов (б) и его аппроксимированная вольтамперная характеристика (в)

Окно установки параметров транзистора MOSFETаналогично окну параметров силового диода Diodeи по этой причине не рассматривается.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Биполярный транзистор IGBT | Идеальный ключ Ideal Switch


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.003 сек.