Математические модели силовых полупроводниковых приборов
В разделе библиотеки SimPowerSystemsсодержатся блоки, представляющие собой виртуальные модели полупроводниковых элементов: диодов, тиристоров и транзисторов. Рассмотрим принципы построения моделей устройств на этих элементах и особенности настройки их параметров. В примерах таких моделей по мере необходимости вводятся новые для читателя блоки из рассмотренных в предыдущих уроках разделов библиотек Simulinkи SimPowerSystems.
Модель диода представляет собой схему замещения и содержит резистор Ron, индуктивность Lon, источник постоянного напряжения Vf и ключ SW, включенные последовательно (рис. 1б). Управляет работой ключа блок логики. При положительном напряжении на диоде (Uak-Uf) происходит его включение (замыкание) и через прибор начинает протекать ток.
Рис. 1. Схема замещения диода (а) в виде набора элементов (б] и его аппроксимированная вольтамперная характеристика (в)
Размыкание ключа (выключение диода) осуществляется при снижении до нуля тока Iak, протекающего через диод. Параллельно диоду подключена демпфирующая цепь, называемая Snubberи состоящая из последовательно соединенных резистора R и емкости C.
Параметры блока (окно для настройки параметров блока вызывается двойным щелчком левой клавиши мыши — ЛКМ по пиктограмме блока): Resistance Ron (Ohm) — сопротивление во включенном состоянии (Ом); Inductance Lon (H) — индуктивность во включенном состоянии (Гн); Forward voltage Uf (V) — падение напряжения в прямом направлении (В); Initial current Ic (A) — начальное значение тока (А). При значении параметра, равном нулю, моделирование начинается при закрытом состоянии диода. Если параметр задан положительным значением, то моделирование будет начато при открытом состоянии диода; Snubber resistance Rs (Ohm) — сопротивление демпфирующей цепи (Ом); Snubber capacitance Cs (F) — емкость демпфирующей цепи (Ф).
На пиктограмме блока Diodeимеются анод а и катод k, а также выходной порт, обозначенный m, в котором формируется векторный Simulink-сигнал из двух составляющих. Первая из них соответствует анодному току диода, вторая — напряжению на аноде диода.