Изучение полупроводниковых диодов и диодных схем

Цель работы: изучение принципа действия полупроводникового диода, метода получения его вольт-амперных характеристик; освоение методики расчёта основных параметров диодов и схем на их основе.

Задание 1. Получение прямой ветви вольт-амперной характеристики диода BAS21.

Соберём схему в соответствии с рисунком, и снимем зависимость I_пр(U_пр). Результаты снесём в таблицу.

Построим вольт-амперную характеристику диода BAS21 I_пр=f(U_пр).

Рассчитаем прямые дифференциальное r_пр и статическое R_пр сопротивления диода:

Задание 2. Построение передаточных характеристик диодных ключей.

Соберём схему параллельного диодного ключа в соответствии с рисунком.

Изменяя напряжение источника в диапазоне 0..15 В до достижения значения протекающего через диод прямого тока 10 мА, запишем в таблицу показания вольтметра.

Построим передаточную характеристика параллельного диодного ключа.

Задание 3. Исследование диодных ограничителей.

Соберём схему параллельного диодного ограничителя в соответствии с рисунком. Подадим с генератора синусоидальный сигнал частотой 10 Гц и амплитудой 3.4 В. Получим осциллограммы входного и выходного сигналов.

Осциллограммы входного и выходного сигналов:

Задание 4. Найти токи и падения напряжения на элементах цепи, если E1 = 2 B, E2 = 5 B, E3 = 20 B, R1 = 2 kOm, R2 = 18 kOm, R3 = 2 kOm.

Вывод: изучили принцип действия полупроводникового диода, метод получения его вольт-амперных характеристик; освоили методики расчёта основных параметров диодов и схем на их основе.