Режимы работы памяти

Для адресации к любому биту, например 1 Мбайтной микросхемы требуется 20 адресных линий. В тоже время корпус этой микросхемы имеет только 18 выводов, т.к. для адресации используется мультиплексирование адресов. Полный адрес ячейки делится на адрес строки и адрес столбца. Для сопровождения адреса строки служит сигнал RAS, адреса столбца сигнал CAS. Под временем выборки для микросхем понимается сигнал RAS. В процессе обращения к микросхеме DRAM надо сначала подать на ее адресные входы код адреса строки и одновременно с ним или с некоторой ненормируемой задержкой сигнал RAS. Затем через нормируемое время задержки должен быть подан код адреса столбца сопровождаемый сигналом CAS. Следующее обращение к этой микросхеме возможно только после промежутка времени в течении которого происходит перезарядка внутренних цепей микросхемы. Оно составляет почти 90% от общего времени выборки. Один из способов повышения быстродействия динамической памяти является метод управления памятью с чередованием адресов. При этом методе каждые последовательно выбираемые ячейки должны относится к разным банкам памяти. Пока считываются данные из одной группы, другая группа получает время на перезарядку. Другим способом повышения быстродействия является метод страничной выборки, он базируется на том, что повторение сигнала RAS можно избежать, если адреса строк выбираемых ячеек памяти лежат в пределах одной страницы, т.е. адрес их строк не изменен. Наиболее распространены две разновидности такого метода: с повторением сигнала стробирования CAS при изменении младшей части адреса и без повторения. В последнем случае быстродействие заметно повышается. Микросхемы DRAM реализующие страничный режим часто называют FPM. Тем не менее, использование даже подобных способов повышения быстродействия DRAM не дает требуемых результатов.