Согласно спецификации SDRAM, все команды и обмен данными по шине памяти проходят синхронно с тактовыми импульсами системной шины. Поэтому все циклы внутри операции имеют одинаковую продолжительность. Помимо этого стандарт синхронной памяти определяет параметры работы с банками памяти и режимы пакетной передачи данных. Все типы современной памяти (SDR, DDR и DDR2 и DDR3 ) являются синхронной динамической памятью, причем основной принцип организации памяти остается неизменным. В синхронной памяти заложена идеология страничного доступа с пакетной обработкой данных. Она базируется на том, что повторения сигнала RAS можно избежать, если адреса столбцов выбираемых ячеек памяти лежат в пределах одной страницы, то есть имеют один и тот же строковый адрес. Поскольку в микросхеме динамической памяти считывание в статический буфер происходит сразу для целой строки, а конкретный бит выбирается адресом столбца, то в вышеописанном случае повторная запись строки в буфер не требуется. Память принято характеризовать различными параметрами, важнейшим из которых является пропускная способность, определяющая максимальное количество байтов, передаваемых по шине данных за одну секунду. Чтобы определить пропускную способность памяти, частоту шины памяти (то есть частоту, с которой может происходить считывание данных) нужно умножить на количество байтов, передаваемых за один такт. Память SDRAM имеет 64-битную (8-байтную) шину данных, поэтому пропускная способность SDRAM-памяти определяется по формуле: Пропускная способность (Мбайт/с) = Частота шины памяти (МГц) х 8 байт К примеру, для памяти SDRAM PC100 с тактовой частотой 100 МГц пропускная способность составляет 800 Мбит/с, а для памяти SDRAM РС133 с тактовой частотой 133 МГц — 1066 Мбит/