В качестве примера рассмотрим RС-усилитель на полевом транзисторе с p-n-переходом, включенном с общим истоком (рис. 2.24). Используем транзистор с каналом n-типа.

Для используемого транзистора начальное напряжение ииз должно быть положительным (p-n-переход должен находиться под запирающим напряжением). С целью получения этого напряжения в цепь истока включают резистор RH, на котором возникает падение напряжения ики от протекания по нему начального тока истока 1ИН. Напряжение им через резистор Л^ передается на затвор. Так как ток затвора полевого транзистора пренебрежимо мал, падение напряжения на сопротивлении Л3 практически равно нулю, поэтому ииз = иш. Рассмотренную схему обеспечения начального режима работы называют схемой с автоматическим смещением.
Пусть задан начальный ток стока (1Сн ~ 1ин) и начальное напряжение £/язя между истоком и затвором. Тогда сопротивление Rjf следует выбрать из соотношения

Сопротивление R3 обычно выбирают порядка 1 МОм.
Полезно отметить, что рассматриваемая схема обеспечения начального режима работы характеризуется повышенной стабильностью. Если по каким-либо причинам начальный ток стока 1СН начнет увеличиваться, то это приведет к увеличению напряжений URti и 11из, что будет препятствовать значительному увеличению тока 1СН.
Модуль коэффициента усиления каскада в области средних частот определяется равенством

где S — крутизна стокозатворной характеристики полевого транзистора, определяемая по справочникам. Назначение конденсаторов Сь С2 и С4 аналогично назначению соответствующих конденсаторов RC — усилителя на биполярном транзисторе.
Частотные характеристики рассматриваемого усилителя подобны частотным характеристикам RC — усилителя на биполярном транзисторе.