DRAM (память на конденсаторах)конденсаторы со временем теряют свой заряд (независимо от операций чтения), для предотвращения потери данных необходимо периодически обновлять содержимое ячеек. В современных типах памяти, которые поддерживают режимы автоматической регенерации (в «пробужденном» состоянии) и саморегенерации (в «спящем» состоянии), обычно это является задачей внутреннего контроллера регенерации, расположенного непосредственно в микросхеме памяти.(Регенерация происходит каждые 1.92 секунды)
Массив памяти DRAM можно рассматривать как матрицу элементов. Конденсаторы находятся в банках памяти(начиная с нулевого). Доступ к элементам матрицы осуществляется с помощью декодеров адреса строки и адреса столбца, которые управляются сигналами RAS(сигнал выбора строки — Row Access Strobe) и CAS(сигнал выбора столбца — Column Access Strobe).
Шина адреса Память
Банк RAS CAS
(на SRAM отделы по 4 байта)
RAS-CAS не меняются, меняются последние два бита.
На считывание информации затрачивается время.
Тайминг – время выборки байта с момента подачи данных до выставления на шину данных. Разгоном памяти называется уменьшение значения таймера – например с заводского 6444 до 5222,однако чем медленнее работает память – тем она стабильнее.
Типы:SIMM 32p,DIMM 168,DDR,DDR2,DDR3 (DDR2,DDR3 нельзя совмещать)
