С точки зрения физического принципа действия - DRAM, SDRAM, DDR SDRAM.

Ячейки динамической памяти (DRAM – dynamic random access memory) можно представить в виде микроконденсаторов, способных накапливать заряд на своих обкладках (необходимо постоянно подзаряжать).

Оперативная память в компьютере размещается на стандартных панельках, называемых модулями (“линейки»).

Модули оперативной памяти вставляют в соответствующие разъемы на материнской плате.

Конструктивно модули памяти имеют два исполнения – однорядные (SIMM-модули) и двухрядные (DIMM-модули).

Основными характеристиками модулей оперативной памяти являются объем памяти и время доступа.

Время доступа показывает, сколько времени необходимо для обращения к ячейкам памяти – чем оно меньше, тем лучше. Время доступа измеряется в миллиардных долях секунды (наносекундах, нс). Объём Мб или Гб.

Кэш-память:

Предназначена для оптимизации работы компьютера.Это как бы «сверхоперативная память».

Когда процессору нужны данные, он сначала обращается в кэш-память, и только если там нужных данных нет, происходит его обращение в оперативную память.

«Удачные» обращения в кэш-память называют попаданиями в кэш.

Процент попаданий тем выше, чем больше размер кэш-памяти, поэтому высокопроизводительные процессоры комплектуют повышенным объемом кэш-памяти.

Нередко кэш-память распределяют по нескольким уровням.

Кэш первого уровня (L1) выполняется в том же кристалле, что и сам процессор. Объём обычно невелик — не более 128 Кбайт. самая быстрая, поскольку ближе всего к процессору.

Кэш второго уровня (L2) находится либо в кристалле процессора, либо в том же узле, что и процессор, хотя и исполняется на отдельном кристалле. В современных многоядерных процессорах является памятью раздельного пользования — при общем объёме кэша в 8 Мбайт на каждое ядро приходится по 2 Мбайта.

Кэш-память третьего уровня (L3) выполняют на быстродействующих микросхемах типа SRAM и размещают на материнской плате вблизи процессора. Ее объемы могут достигать нескольких Мбайт, но работает она на частоте материнской платы.

Ячейки статической памяти (SRAM – static random access memory) можно представить как электронные микроэлементы – триггеры, состоящие из нескольких транзисторов.

В триггере хранится не заряд, а состояние (включен/выключен), поэтому этот тип памяти обеспечивает более высокое быстродействие, хотя технологически он сложнее и, соответственно, дороже.