русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Особенности применения КМОП микросхем.


Дата добавления: 2014-11-27; просмотров: 4220; Нарушение авторских прав


Первой и основной особенностью КМОП микросхем является большое входное сопротивление этих микросхем. В результате на вход этой цифровой микросхемы может наводиться любое паразитное напряжение, в том числе и равное половине напряжения питания, и храниться на нём достаточно долго.

При подаче на вход КМОП микросхемы половины напряжения питания открываются транзисторы, как в верхнем, так и в нижнем плече выходного каскада микросхемы, в результате микросхема начинает потреблять недопустимо большой ток и в результате может выйти из строя. Поэтому входы цифровых КМОП микросхем ни в коем случае нельзя оставлять неподключенными.

Второй особенностью КМОП микросхем является то, что они могут работать при отключенном питании (если подавать на входы этих микросхем логические сигналы). Однако работают они в таком режиме чаще всего неправильно. Эта особенность связана с конструкцией входного каскада КМОП микросхем. Конструкция КМОП инвертора приведена на рисунке 3.18, а полная схема КМОП инвертора с учетом защитных и паразитных диодов приведена на рисунке 3.19.

 

 

Рисунок 3.18 – Конструкция КМОП инвертора

 

 

 

Рисунок 3.19 – Полная схема КМОП инвертора.

 

К сожалению, каждое преимущество КМОП микросхем при определённых условиях может оказаться недостатком. Так как сопротивление изоляции затвора МОП транзистора очень велико, то на затворе может наводиться очень высокий статический потенциал. Этим потенциалом изоляция затвора транзистора может быть пробита. Поэтому для защиты входного каскада от пробоя статическим электричеством в схему базового элемента были введены диоды VD1 и VD2. Это приводит к тому, что при подаче на вход микросхемы высокого потенциала он через диод VD1 попадёт на шину питания микросхемы, и так как КМОП микросхема потребляет достаточно малый ток, то она начнёт работать. Однако в ряде случаев тока для надёжной работы схемы может не хватить. В результате микросхема может работать неправильно. Вывод: при неправильной работе микросхемы тщательно проверьте питание микросхемы, особенно выводы корпуса. При плохо пропаянном выводе корпуса микросхемы его потенциал будет отличаться от потенциала общего провода схемы.



Третья особенность работы КМОП микросхем связана с существованием паразитных диодов VD3 и VD4 (см. рисунок 3.19). Эти диоды, при неправильно подключенном источнике питания, могут быть пробиты (микросхемы ТТЛ выдерживают кратковременную переполюсовку питания). Для защиты микросхем от переполюсовки питания следует в цепи питания предусмотреть защитный диод. Это относится и к ТТЛ микросхемам.

Четвёртая особенность КМОП микросхем – это протекание импульсного тока по цепи питания при переключении микросхемы из нулевого состояния в единичное и наоборот. В результате при замене ТТЛ микросхем на аналогичные КМОП микросхемы резко увеличивается уровень помех. В ряде случаев это важно, и приходится отказываться от применения КМОП микросхем в пользу ТТЛ или BICMOS.

Ещё одно неприятное явление в КМОП микросхемах связано с паразитными структурами, образующимися в полупроводнике. Если внимательно посмотреть на рисунок 3.18, то можно увидеть, что между источником питания и корпусом образуется паразитная p‑n‑p+-n структура. При превышении напряжения на входе микросхемы над напряжением питания в n карман может инжектироваться достаточное количество дырок для того, чтобы этот n карман исчез. В результате через микросхему будет протекать ничем не ограниченный ток. Теперь уже этот ток будет инжектировать в n-карман дополнительные положительные заряды. Процесс становится неуправляемым и может быть прекращён только снятием напряжения питания. Это явление получило название защёлкивания. К подобному эффекту может привести подача на вход микросхемы отрицательного напряжения. Поэтому при проектировании схемы цифрового блока следует принимать меры для того, чтобы напряжение на входе микросхемы находилось в пределах от потенциала общего провода до напряжения питания.

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Логика на комплементарных МОП транзисторах (КМДП) | Логические уровни КМОП микросхем.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.005 сек.