Учет ряда физических процессов, имеющих место в биполярных транзисторах на высоких частотах, позволяет увеличить точность модели, описываемой П-образной схемой замещения в Y-параметрах. При этом получается так называемая гибридная высокочастотная схема замещения биполярного транзистора, известная также под именем схемы Джаколетто (рис. 4.12)
Рис.4.12. Гибридная высокочастотная схема замещения биполярного транзистора при включении с ОЭ (схема Джаколлетто)
В этой схеме:
— распределенное сопротивление базы;
— активная составляющая дифференциальной проводимости прямосмещенного эмиттерного перехода;
— активная составляющая дифференциальной проводимости обратно смещенного коллекторного перехода;
— активная составляющая дифференциальной проводимости участка между коллектором и эмиттером транзистора;
— емкость между коллектором и базой транзистора (поддается непосредственному измерению и, как правило, указывается в технической документации на транзистор), эта емкость имеет несколько составляющих: 
и обусловлена в основном барьерной емкостью обратносмещенного коллекторного перехода;
—емкость эмиттерного перехода транзистора (обусловлена преимущественно диффузионной емкостью, поскольку эмиттерный переход смещен в прямом направлении);
— крутизна характеристики передачи транзистора (крутизна транзистора).
Параметры схемы Джаколетто могут быть вычислены через h-параметры биполярного транзистора по формулам:
где 
— граничная частота коэффициента передачи тока 
