В реальных радиоэлектронных устройствах транзисторные усилительные каскады функционируют не в тех идеально-тепличных условиях, которые до сих пор подразумевались при анализе схем, а подвержены достаточно жесткому влиянию множества зачастую непредсказуемых факторов. Таких, например, как: температура окружающей среды, колебания питающего напряжения, наличие в пространстве значительных электрических или магнитных полей, создающих паразитные наводки в цепях, и т.п. Все эти воздействия могут дестабилизировать рабочие точки транзисторных схем, что сопровождается ухудшением их параметр ров и в конечном итоге приводит к прекращению выполнен ими предназначенных функций.
Для предотвращения данных явлений в стандартные цепи смещения вводятся дополнительные звенья и применяются специальные элементы, компенсирующие вредные воздействия. Чаще всего используются следующие два метода:
• включение нелинейных элементов, нейтрализующих температурный (и прочий) дрейф параметров транзистора (метод параметрической стабилизации);
• создание в каскаде специальных цепей обратной связи по постоянному току или напряжению, обеспечивающих возврат рабочей точки в исходное состояние в случае ее смещения.
Рассмотрим оба этих варианта по порядку.
