От биполярных МДП-транзисторы выгодно отличаются весьма большим входным сопротивлением по постоянному току и меньшей площадью, особенно в ИМС.
Рис 3.17 Схемы ключей на МДП-транзисторах
Если напряжение 
между затвором (3) и истоком (И) менее отрицательно, чем пороговое, транзистор заперт и стоковое напряжение 
близко к 
. Когда отрицательным управляющим импульсом транзистор отпирается, рабочая точка оказывается в крутой области стоковых характеристик, где остаточное напряжение 
на транзисторе мало.
В ИМС ключей роль резисторов 
выполняют МДП-транзисторы. Это позволяет уменьшить площадь, занимаемую ключом, обеспечивает большую технологичность микросхемы и улучшает ее параметры. Транзистор VT1 является управляющим, а VT2 – нагрузочным, он постоянно открыт. Ключ нормально функционирует, если сопротивление открытого транзистора VT1 много меньше сопротивления отпертого транзистора VT2, что обеспечивается при изготовлении ключа.
Схема ключа на МДП-транзисторах с индуцированными каналами разных типов проводимости на (комплементарных) КМДП-транзисторах.
Рис 3.18 Схема ключа на МДП-транзисторах с
