Напряжение смещения подаётся на базу транзистора VT1 через R2 с нелинейного делителя R4, R5 и транзистора VT3. Эти же элементы образуют цепь ООС. Глубину ООС можно изменять в широких пределах путём изменения напряжения, подаваемого на базу транзистора VT3 (через вывод 5)
Транзистор VT4 является элементов ВЧ – коррекции: используется зарядные ёмкости его обратно смещённых эмиттера и коллектора p-n переходов. При необходимости между выводами 12, 14 подключаются дополнительный конденсатор.
3-я схема. Кроме такого способа коррекции применяются коррекция двухполюсником. Это ГСТ, включённый в цепь эмиттера. Этот ГСТ, который в интегральной технологии легко реализуем, имеет корректирующую цепь 
.
Достоинством эмиттерной коррекции является высокая устойчивость усиления, повышенная стабильность параметров, возможность изменения полосы пропускания и К в широких пределах.
В ШИУ применяются и индуктивная ВЧ – коррекция с помощью эквивалентов индуктивностей (на основе ОУ).
