1. Проведите моделирование схемы на рис.23 (lab/7/1.ewb) при различных типах диодов Dd и Dk. При моделировании необходимо учесть, что диоды работают в прямо смещенном режиме и их вольтамперная характеристика в таком включении описывается выражением: I=I0[exp(U/ 
)-1] или U=ln(I/I0+1), где I0 – обратный (тепловой) ток; - температурный потенциал p-n-перехода, при температуре 20ºC он равен 26 мВ. Каким параметром диода в приведенной формуле необходимо варьировать, чтобы при моделировании добиться положительных результатов?
2. Проведите моделирование схемы на рис.23 при сопротивлении датчика 100 Ом (учтите рекомендации п.1).
Контрольные вопросы и задания.
1. С какой целью осуществляется линеаризация характеристик датчиков?
2. Из анализа данных на рис.24 определите, при каких параметрах сигнала генератора получены приведенные на этих рисунках данные, если учесть, что нелинейность датчика проявляется в наибольшей степени при низких уровнях сигнала.
3. Почему передаточные характеристики датчика изображены на экране осциллографа не в первом, а в четвертом квадранте?
4. Необходимость использования корректирующих звеньев
5. Что играет роль переключателя в реальных схемах автоматики?
