Таблица П.1.
| Параметр (при Т=300К)
| Кремний (Si)
| Арсенид галлия (GaAs)
| Германий (Ge)
| Собственное удельное сопротивление  Ом·см
| 2,3·105
| 108
|
| Ширина запрещенной зоны  эВ
| 1,12
| 1,42
| 0,66
| Эффективная масса электронов по отношению к массе свободного электрона 
| 1,06
| 0,07
| 0,22
| То же для дырок 
| 0,56
| 0,5
| 0,39
| | Эффективная плотность состояний, См-3
|
|
|
| В зоне проводимости 
| 2,8·1019
| 4,7·1017
| 1019
| в валентной зоне 
| 1019
| 7·1017
| 26·1018
| Собственная концентрация   , см-3
| 1,45·1010
| 1,8 106
| 2,4·1013
| | Подвижность, см2/(В·с)
|
|
|
| Электронов 
|
|
|
| дырок 
|
|
|
| | Коэффициент диффузии, см/с:
|
|
|
| электронов 
|
|
|
| дырок 
|
|
|
| Дрейфовая скорость насыщения  , см/с:
|
|
|
| | электронов
| 107
| 6·106
| 6·106
| | дырок
| 8·106
| –
| 6·106
| Электрическое поле пробоя  Е/см
| 3·105
| 4·105
| 105
| диэлектрическая проницаемость  пФ/см
| 1,05
| 1,15
| 1,42
| | ТК эВ/К
| –2,4·10-4
| –4,3·10-4
| –3,9·10-4
|
Некоторые физические постоянные:
постоянная Планка:  эгр·с  Дж·с  эВ·сек;
постоянная Больцмана:  эрг/град  Дж/град  эВ/град;
масса электрона:  г;
заряд электрона:  Кл.
|
