4.7. В схеме (рис. 4.7) кОм, кОм, кОм, кОм, В, , мкА. Определить выходное напряжение и режим работы транзистора. Изменится ли режим работы транзистора при увеличении температуры на 30°С?
4.8. Построить нагрузочные линии для переменного и постоянного токов для усилительного каскада (рис. 4.7) при следующих данных: В, кОм, кОм, кОм. Ток покоя А и мкА.
Выходные характеристики транзистора показаны на рис. 4.9.
4.9. Найти выходное напряжение и режим работы транзистора в схеме (рис. 4.10), если кОм, В, кОм, кОм, В, , .
4.10. В схеме (рис. 4.11) кОм, кОм, В, , В, . Определить и режим работы транзистора.
4.11. В схеме (рис. 4.11) кОм, В, кОм, В, . Определить , и
4.12. В схеме (рис. 4.15) В, кОм, кОм, В, кОм, В,
Транзистор имеет , мкА. Определить выходное напряжение и режим работы транзистора. Как изменится режим работы транзистора с увеличением температуры на 50°С?
4.13. В схеме (рис.4.16), кОм, В, кОм, , мкА, температура комнатная. Определить рабочую точку транзистора и как она изменится при повышении температуры на 20ºС.
Определить выходное напряжение и режим работы транзистора. Как изменится выходное напряжение и режим работы транзистора с увеличением температуры на 20 °С?
4.16. В схеме (рис. 4.7) кОм, кОм, кОм, кОм, В, , мкА. Какими должны быть сопротивления делителя и , чтобы транзистор из режима насыщения перешел в активный режим работы?
4.17. В схеме (рис. 4.19) используется транзистор с , мкА. В этой цепи кОм, кОм, В, В. Определить при разомкнутом и замкнутом ключе.
4.18. Как изменится , если в схеме (рис. 4,19) задачи 4,17 используется транзистор с ?
4.19. В схеме (рис. 4.20) используется транзистор с коэффициентом передачи тока базы . Данные схемы: кОм, кОм, В, В. Определить напряжение при разомкнутом и замкнутом ключе (током пренебречь).
4.20. В схеме (рис. 4.21) используется транзистор с , мкА, кОм, кОм, В, В. Определить, при каком минимальном транзистор будет работать в режиме насыщения.
4.21. В схеме (рис. 4.22) используется транзистор с . Данные схемы: кОм, кОм, кОм, В. Определить, при каком минимальном транзистор будет работать в режиме насыщения.
4.22, В схеме (рис. 4.23) используется транзистор с . Данные схемы: кОм, кОм, В. Определить, при каком минимальном транзистор будет работать в режиме насыщения.
4.23. Дана схема рис.(4.24). Рассчитать цепи смещения, если рабочая точка задана координатами . мА В данные схемы: кОм, В,
4.24. Чему равно подводимое напряжение в схеме (рис. 4.25), если ток коллектора 5мА?
4.25. Пользуясь выходными характеристиками транзистора КТ216А в схеме с ОЭ, построить график зависимости при неизменном токе базы мА.
4.26. На выходных характеристиках транзистора КТЗ15А для схемы с ОЭ построить линии предельной мощности при температурах окружающей среды 30 ºС и 50 °С, если предельная температура перехода ºС и тепловое сопротивление переход-среда град/мВ.
4.27. Объясните, увеличится или уменьшится ток базы в схеме (рис. 4.26) при увеличении температуры.
4.28. Определить предельную частоту передачи тока транзистора при включении его в схему с ОБ, если граничная частота усиления в схеме с ОЭ этого транзистора МГц, а .