3.4. Изобразите схемы включения с ОБ для транзисторов р-n-р и n-p-n. Показать полярность питающих напряжений для случаев работы транзистора:
а) в активном режиме;
б) в режиме отсечки;
в) в режиме насыщения.
Во всех случаях показать направление токов эмитгера , коллектора , базы .
3.5 Транзистор типа p-n-p включен в схему с ОЭ. Пояснить в каком режиме работает транзистор, если:
а) В и В;
б) В и В;
в) В и В.
В
В
В
–10
+10
+5
+8
–5
–3
–6
–2
+12
–4
–12
–2
–12
–12
+10
+10
–20
–3
3.6. Транзистор типа р-n-р. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если на каждый электрод подается напряжение от отдельного источника в соответствии с таблицей.
3.7. Транзистор типа р-n-р включен в схему с ОБ. В В. Определить напряжение и режим работы транзистора.
3.8. Транзистор типа р-n-р включен в схему с ОЭ. Напряжение В, В. Определить и режим работы транзистора.
3.9. Определить эмиттерный и коллекторный токи для транзистора, работающего в режиме отсечки, если тепловой ток коллектора мкА, тепловой ток эмиттера мкА, коэффициент передачи тока эмиттера 0,96.
3.10. Известно, что транзистор, имеющий коэффициент передачи тока базы , тепловой ток коллектора мкА, включен в схему с ОЭ. Определить величины:
а) ток эмитгера
б) ток базы
в) коэффициент передачи тока эмиттера ;
г) сквозного теплового тока коллектора , если ток коллектора мА.
3.11. Транзистор типа n-р-n включен в схему (рис. 3.4). Требуется определить коллекторный ток, если известно, что коэффициент передачи тока эмиттера транзистора и тепловой ток коллектора мкА, .
3.12. Изобразить схемы включения с ОЭ для транзисторов р-n-р и n-р-n. Показать полярность питающих напряжений для случаев работы транзистора: а) в активном режиме; б) в режиме отсечки; в) в режиме насыщения.
Во всех случаях показать направление токов эмитгера , коллектора , базы .
3.13. Транзистор типа р-n-р включен в схему с ОБ. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если:
а) В и В;
б) В и В;
в) В и В.
3.14. Транзистор типа р-n-р включен в схему с ОЭ. Пояснить, в каком режиме работает транзистор, если:
а) В и В;
б) В и В;
в) В и В.
3.15. Вывести связь между дифференциальным параметром и физическими параметрами транзистора. Рассчитать если дано: Ом, мА, 1/Ом, .
3.16. Вывести связь между дифференциальным параметром и физическими параметрами транзистора. Рассчитать если дано: кОм, Ом, мА, .
3.17. Вывести связь между дифференциальным параметром и физическими параметрами транзистора. Рассчитать , если дано: Ом, мА, , .
3.18. Вывести связь между дифференциальным параметром и физическими параметрами транзистора. Рассчитать , если дано: Ом, мА, , .
3.19. Вывести связь между дифференциальным параметром и физическими параметрами транзистора. Рассчитать , если дано: Ом, мА, , 1/Ом.
3.20. Вывести связь между дифференциальным параметром , и физическими параметрами транзистора. Рассчитать , если дано: Ом, кОм, мА, .
3.21. Вывести связь между дифференциальным параметром и физическими параметрами транзистора. Рассчитать , если дано: Ом, мА, , кОм.
3.22. Вывести и рассчитать входное сопротивление в схеме с ОБ с учетом коллекторной цепи, если дано: 1/Ом, мА, , Ом.
3.23. Вывести и рассчитать входное сопротивление в схеме с ОЭ с учетом коллекторной цепи, если дано: 1/Ом, мА, , .
3.24. По выходным характеристикам транзистора КТ216А с ОЭ в рабочей точке на ваш выбор определить , , , .
3.25. Типичные значения параметров для некоторого транзистора следующие:
Ом, , , 1/Ом. Определить величины всех трех сопротивлений Т-образной схемы замещения.
3.26. По входным и выходным характеристикам любого транзистора, взятым из справочника, построить переходные характеристики при и при .