Основные параметры запоминающих устройств

Основными параметрами запоминающих устройств являются:

1) информационная емкость - максимально возможный объем хранимой информации. Выражается в битах или словах (в частности, в байтах). Бит хранится запоминающим элементом (ЗЭ), а слово - запоминающей ячейкой (ЗЯ), т. Е. Группой ЗЭ, к которым возможно лишь одновременное обращение. Добавление к единице измерения множителя "К" (кило) означает умножение на 2¹⁰ = 1024, а множителя "М" (мега) - умножение на 2²⁰ = 1048576;

2) организация ЗУ - произведение числа хранимых слов на их раз-рядность;

Видно, что это дает информационную емкость ЗУ, однако при одной и той же информационной емкости организация ЗУ может быть различной, так что организация является самостоятельным важным параметром.

3) быстродействие (производительность) ЗУ оценивают временами считывания, записи и длительностями циклов чтения/записи. Время считывания - интервал между моментами появления сигнала чтения и слова на выходе ЗУ. Время записи - интервал после появления сигнала записи, достаточный для установления ЗЯ в состояние, задаваемое входным словом;

4) минимально допустимый интервал между последовательными чтениями или записями образует соответствующий цикл. Длительности циклов могут превышать времена чтения или записи, т.к. после этих операций может потребоваться время для восстановления необходимого начального состояния ЗУ. Время чтения, записи и длительности циклов - традиционные параметры. Есть специфичные параметры:

- время доступа при первом обращении (Latency);

- темп передачи для последующих слов пакета (Bandwidth).

Помимо указанных основных параметров для ЗУ указывают еще целый набор временных интервалов. Есть эксплуатационные (измеряемые) и режимные параметры, а также сигналы управления.

Свойство энергонезависимости, т.е. способность ЗУ сохранять данные при отключении напряжения питания. Энергонезависимость может быть естественной, т.е. присущей самим ЗЭ, или искусственной, достигаемой введением резервных источников питания, автоматически подключаемых к накопителю ЗУ при снятии основного питания.

Один из возможных наборов сигналов ЗУ приведенных на рисунке 15, а включает следующие сигналы:

- А - адрес, разрядность которого n определяется числом ячеек ЗУ, т.е. максимально возможным числом хранимых в ЗУ слов. Для ЗУ типично число ячеек, выражаемое целой степенью двойки. Адрес является номером ячейки, к которой идет обращение. Очевидно, что разрядность адреса связана с числом хранимых слов N соотношением n = log2N (имеется в виду максимально возможное число хранимых слов). Например, ЗУ с информационной емкостью 64К слов имеет 16-разрядные адреса, выражаемые словами: А = A₁₅A₁₄A₁₃ ... A₀;

Рис. 15. Типичные сигналы ЗУ (а)

и их временные диаграммы (б)

- CS - (Chip Select) или СЕ (Chip Enable), который разрешает или запрещает работу данной микросхемы;

- R/ W - (Read/Write) задает выполняемую операцию (при единичном значении - чтение, при нулевом - запись);

- DI и DO (Data Input) и (Data Output) - шины входных и выходных данных, разрядность которых m определяется организацией ЗУ (разрядностью его ячеек). В некоторых ЗУ эти линии объединены.

Важнейшие параметры ЗУ находятся в противоречии. Так, например, большая информационная емкость не сочетается с высоким быстродействием, а быстродействие в свою очередь не сочетается с низкой стоимостью. Поэтому системам памяти свойственна многоступенчатая иерархическая структура, и в зависимости от роли того или иного ЗУ его реализация может быть существенно различной.