русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Экспериментальная часть


Дата добавления: 2014-11-27; просмотров: 738; Нарушение авторских прав


2.1 Создать модель транзистора в соответствии с вариантом задания таблицы 1. Для этого щелкнуть два раза клавишей указания мыши на изображении транзистора и выбрать в появившемся окне NPN Transistor Properties в разделе Library библиотеку default, а затем в разделе Model – тип транзистора ideal. Выбрать последовательно клавишей указания мыши кнопки Copy и Paste, записать латинскими буквами в появившемся окне тип транзистора в соответствии с вариантом задания и нажать кнопку ОК. В результате в разделе Model добавится новый тип транзистора. Для корректировки его параметров нажать кнопку Edit и установить значения параметров Forward current gain coefficient [BF] (коэффициент усиления b), Base ohmic resistance [RB] (сопротивление базы Rб), Emiter ohmic resistance [RE] (сопротивление эмиттера Rэ), Collector ohmic resistance [RC] (сопротивление коллектора Rк) в соответствии с таблицей 1. Значения других параметров оставить без изменения.

2.2. Для исследования схемы усилительного каскада ОЭ собрать схему в соответствии с рисунком 1.

 

Таблица 1

№ варианта Обозначение транзистора Тип транзистора b(BF) Rб , Ом (RB) Rэ , Ом (RЕ) Rк , Ом (RС)
VТ1 КТ315Б
VТ1 КТ3102Ж 0,6
VТ1 КТ315Г
VТ1 КТ3102А 0,6
VТ1 КТ3102Д 0,6
VТ1 КТ315Е
VТ1 КТ3102А 0,6
VТ1 КТ503Б 2,5 1,2 0,5
VТ1 КТ503Г 2,5 1,2 0,5
VТ1 КТ503Д 2,5 1,2 0,5
VТ1 КТ503Е 2,5 1,2 0,5
VТ1 КТ3102А 0,6
VТ1 КТ3102Б 0,6
VТ1 КТ3102В 0,6
VТ1 КТ503Б 2,5 1,2 0,5
VТ1 КТ3102А 0,6
VТ1 КТ3102В 0,6
VТ1 КТ503Г 2,5 1,2 0,5
VТ1 КТ315А
VТ1 КТ3102А 0,6
VТ1 КТ503Е 2,5 1,2 0,5
VТ1 КТ315Б
VТ1 КТ3102Б 0,6



Рисунок 1

2.3. Установить значения сопротивлений резисторов, емкости конденсаторов и напряжение источника питания для схемы рисунка 1 в соответствии с таблицей 2.

Таблица 2

№ варианта Е, В R2, кОм Rэ , Ом Rк , кОм Rн , кОм C1, мкФ Сэ, мкФ
1,6 3,3
2,2 3,6
2,7 3,9
3,0 4,3
1.8 3,6
2,0 3,9
2,2 4,3
2,4 4,7
2,2 3,3
2,4 3,6
3,0 3,9
2,7 4,3
2,0 3,6
    3,0 3,9
2,7 4,3
3,0 4,7
2,2 3,9
2,4 4,3
3,0 4,7
3,6 5,1
2,2 3,3
2,4 3,6
2,7 3,9
3,0 4,3

 

2.4 Для определения коэффициента усиления каскада ОЭ на вход каскада подать с функционального генератора синусоидальное напряжение Uвх = 0,1 В частотой f = 1 кГц. Измерить выходное напряжение Uвых на нагрузочном резисторе Rн .

2.5 Определить изменение тока коллектора транзистора от вариации коэффициента усиления в диапазоне (b±30%) при Uвх =0 В. Результаты занести в таблицу 3.

Таблица 3

b 0,7b 0,8b 0,9b b 1,1b 1,2b 1,3b
Iк , А              

 

2.6 Исследовать зависимость изменения тока коллектора транзистора от изменения температуры от -20 до +600С при Uвх = 0В. Для установки температуры открыть пункт меню Analysis/ Analysis Options/Global и установить требуемое значение рабочей температуры (параметр Simulation Temperature (TEMP)). Результаты занести в таблицу 4.

Таблица 4

Т, 0С -20 -10
Iк , А                  

 

2.7 Для исследования усилительного каскада ОК собрать схему в соответствии с рисунком 2.

 

Рисунок 2

 

2.8 Установить значения сопротивлений резисторов, емкости конденсаторов и напряжение источника питания для схемы рисунка 2 в соответствии с таблицей 5.

2.9 Для определения коэффициента усиления каскада ОК на вход каскада подать с функционального генератора синусоидальное напряжение Uвх = 1В частотой f = 1 кГц. Измерить выходное напряжение Uвых на нагрузочном резисторе Rн .

 

Таблица 5

№ варианта Е, В R2, кОм Rэ, кОм Rн, кОм С1, мкФ С2, мкФ
1,6 0,82
2,2 0,91
2,7 0,68
3,0 1,0
1.8 0,82
2,0 0,91
2,2 0,68
2,4 1,0
2,2 0,82
2,4 0,91
3,0 0,68
2,7 1,0
2,0 0,82
3,0 0,91
2,7 0,68
3,0 1,0
2,2 0,82
2,4 0,91
3,0 0,68
3,6 1,0
2,2 0,82
2,4 0,91
3,0 0,68
2,7 1,0

 

2.10 Определить изменение тока коллектора транзистора от вариации коэффициента усиления в диапазоне (b±30%). Результаты занести в таблицу 6.

Таблица 6

b 0,7b 0,8b 0,9b b 1,1b 1,2b 1,3b
Iк , А              

 

2.11 Исследовать зависимость изменения тока коллектора транзистора от изменения температуры от -20 до + 600С при Uвх = 0В. Результаты занести в таблицу 7.

 

Таблица 7

Т, 0С -20 -10
Iк , А                  

 

3Обработка экспериментальных данных

3.1 Рассчитать коэффициент усиления каскада ОЭ по формуле:

KUОЭ = Uвых / Uвх .

3.2 Рассчитать коэффициент усиления каскада ОК по формуле:

KUОК = Uвых / Uвх

3.3 Построить графики зависимости Iк =f(b) и Iк =f(T) для каскада ОЭ в соответствии с таблицей 3 и таблицей 4.

3.4 Построить графики зависимости Iк =f(b) и Iк =f(T) для каскада ОК в соответствии с таблицей 6 и таблицей 7.

3.5 Оформить отчет, куда включить все исследуемые схемы, результаты расчета схем, таблицы с результатами экспериментов и графики.



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Обработка экспериментальных данных | Методические указания


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 1.482 сек.