русс | укр

Языки программирования

ПаскальСиАссемблерJavaMatlabPhpHtmlJavaScriptCSSC#DelphiТурбо Пролог

Компьютерные сетиСистемное программное обеспечениеИнформационные технологииПрограммирование

Все о программировании


Linux Unix Алгоритмические языки Аналоговые и гибридные вычислительные устройства Архитектура микроконтроллеров Введение в разработку распределенных информационных систем Введение в численные методы Дискретная математика Информационное обслуживание пользователей Информация и моделирование в управлении производством Компьютерная графика Математическое и компьютерное моделирование Моделирование Нейрокомпьютеры Проектирование программ диагностики компьютерных систем и сетей Проектирование системных программ Системы счисления Теория статистики Теория оптимизации Уроки AutoCAD 3D Уроки базы данных Access Уроки Orcad Цифровые автоматы Шпаргалки по компьютеру Шпаргалки по программированию Экспертные системы Элементы теории информации

Ждущие ГЛИН на транзисторах.


Дата добавления: 2014-11-27; просмотров: 1947; Нарушение авторских прав


Схема ждущего ГЛИН, работающего в режиме внешнего управления, приведена на рис. 7.10. Длительность прямого хода генератора пилообразного напряжения определяется длительностью управляющего импульса.

Транзистор VT1 представляет собой транзисторный ключ, который в исходном режиме находится в состоянии насыщения, что обеспечивается соответствующий током базы .

,

,

где , откуда .

 

Рис. 7.10. Ждущий ГЛИН в режиме внешнего управления

При отсутствии входного сигнала транзистор VT1 насыщен и , которое, как правило, не превышает 1В. Следовательно, при отсутствии входного импульса напряжение на выходе схемы близко к нулю ( ).

На рис. 7.11 приведены осциллограммы работы схемы.

Рис. 7.11. Осциллограммы работы ждущего ГЛИН в режиме внешнего управления

В момент времени t1 поступает импульс управления и запирает транзистор VT1 (Uвх=0,3-0,5В). Предельная длительность импульса управления должна быть такой, чтобы не превышало уровень . При этом конденсатор С заряжается через от напряжения и, формирую прямой ход пилы. Чем меньше требуемое значение e, тем меньше .

После t2 транзистор VT1 вновь в насыщении, и обеспечивает разряд конденсатора С через насыщенный транзистор VT1. Когда уровень напряжения на коллекторе достигает (момент времениt3) возможна подача очередного запирающего импульса.

Для улучшения линейности коэффициент использования должен быть x=0,25-0,4, откуда следует, что должно быть в 3-4 раза больше , что требует применения высоковольтных транзисторов. Для использования в схеме низковольтных транзисторов применяется цепочка VD и . Величина источника выбирается из условия:

с небольшим запасом .

Если превышает открывается диод и не превышает . Это позволяет применять низковольтные транзисторы при высоковольтном питании, что позволяет получить значительно меньшее значение коэффициента нелинейности прямого хода e.



 

Схема ждущего ГЛИН с отрицательной обратной связью приведена на рис. 7.11. Она позволяет улучшить качество ЛИН (уменьшить коэффициент нелинейности e) за счет отрицательной обратной связи (ООС).

В исходном состоянии транзистор VT1 заперт от источника . «+» источника поступает на базу VT1 через диод VD, который включен в прямом направлении. выбирается исходя из условия, чтобы (для запирания транзистора VT необходимо напряжение порядка 0,25-0,3В). Следовательно,

.

В таком режиме диод VD открыт, транзистор VT заперт и конденсатор С заряжается по цепи от +, +включенных согласно, через , VD, С, на—. Следовательно,

.

Рис. 7.11. Схема ждущего ГЛИН с ООС

После прихода запускающего отрицательного импульса, который поступает на диод VD и запирает его, обеспечивает надежное насыщение транзистора VT1, при этом конденсатор С начинает разряжаться по цепи от +С через , источник включенный согласно с , ЭК открытого насыщенного транзистора VT1НАС, на — С.

На рис. 7.12 приведены осциллограммы работы ждущего ГЛИН с ООС. В момент времени t1 приходит запускающий входной отрицательный импульс. Он запирает диод VD и отсоединяет от базы транзистора VT. Запускающий импульс отрицательной полярности должен обеспечить амплитуду . При этом режим работы транзистора VT по постоянному току изменяется. Транзистор VT насыщается, после чего начинается разряд конденсатора С. Напряжение на конденсаторе С до разряда было порядка . Основная цепь разряда конденсатора С от +С через , +, включенного согласно с , ЭК насыщенного транзистора VT1, на — С. Дополнительная цепь иимеет незначительный вклад. При разряде конденсатора С формируется линейно-изменяющееся напряжение с длительностью , соответствующее длительности входного импульса.

Если ток разряда будет постоянным (), то напряжение на конденсаторе С будет изменяться по линейному закону. Благодаря действию ООС за счет конденсатора С, включенного между базой и коллектором транзистора VT1, изменение происходит практически по линейному закону.

Физически это обеспечивается токовым механизмом управления транзистором с учетом того, что участок БЭ транзистора имеет низкое сопротивление. В этом случае:

По мере разряда конденсатора С ток начинает уменьшаться, но при общем токе через () приводит к увеличению тока базы (). За этим увеличением тока базы следует увеличение тока коллектора (). Этот ток, протекая через распределяется между коллектором транзистора и конденсатором С, компенсируя уменьшения тока . Следовательно, за счет ООС ток разряда конденсатора остается примерно постоянным, обеспечивая линейное изменение .

В момент времени t2 заканчивается запускающий импульс, диод VD открывается напряжением , транзистор VT запирается и вновь начинается процесс заряда конденсатора С, как было рассмотрено ранее. Постоянная времени заряда конденсатора мала по сравнению с постоянной времени разряда (). Поскольку

,то.

Время восстановления схемы определяется величиной:

.

Осциллограммы, иллюстрирующие работу схемы, приведены на рис. 7.12

Рис. 7.12. Осциллограммы работы ждущего ГЛИН с ООС

Основные параметры схемы:

;

;

;

Для уменьшения коэффициента нелинейности e можно рекомендовать увеличивать и .

 



<== предыдущая лекция | следующая лекция ==>
Схема ГЛИН, использующая принципу заряда конденсатора через токостабилизирующий элемент. | Характеристики ЛЭ.


Карта сайта Карта сайта укр


Уроки php mysql Программирование

Онлайн система счисления Калькулятор онлайн обычный Инженерный калькулятор онлайн Замена русских букв на английские для вебмастеров Замена русских букв на английские

Аппаратное и программное обеспечение Графика и компьютерная сфера Интегрированная геоинформационная система Интернет Компьютер Комплектующие компьютера Лекции Методы и средства измерений неэлектрических величин Обслуживание компьютерных и периферийных устройств Операционные системы Параллельное программирование Проектирование электронных средств Периферийные устройства Полезные ресурсы для программистов Программы для программистов Статьи для программистов Cтруктура и организация данных


 


Не нашли то, что искали? Google вам в помощь!

 
 

© life-prog.ru При использовании материалов прямая ссылка на сайт обязательна.

Генерация страницы за: 0.004 сек.