Общая характеристика
ЗУ – совокупность различных устройств, предназначенных для приема, хранения, передачи двоичной информации.
Категории памяти: а) внутренняя; б) внешняя;
Память классифицируют:
1. По функциональному значению.
2. По виду носителей информации.
3. По организации доступу информации.
Внутренние ЗУ – для хранения программ и данных, обрабатываемых в текущий момент времени.
Внутренние ЗУ бывают:
- оперативные (высокое быстродействие, небольшая емкость);
- КЭШ – память (для хранения промежуточных данных, дублированной информации);
- постоянная (заносятся константы);
Внешние ЗУ – для длительного хранения больших массивов памяти (объем памяти больше, однако быстродействие небольшое). Внешние ЗУ энергонезависимы.
Полупроводниковая память. Параметры памяти:
1. Информационная емкость (количество N-разрядных слов);
2. Быстродействие – время обращения (запись, считывание, время хранения);
3. Удельная емкость (сколько можно сохранить на м2).
Структурная организация, входные и выходные сигналы
Элементы памяти:
1. Триггер.
Организация памяти: Микросхемы памяти:
- сигнал разрешения работы схемы
Основные структуры полупроводниковой памяти
Организация структуры памяти может быть на одной плоскости или в объеме.
Постоянная память
ПП – память, которая сохраняется и не меняется во времени (ПЗУ, ROM) – программируется одноразово, изготовителем.
ППЗУ, PROM (Program. ROM) – программируется один раз - пользователем, электрическим способом.
РПЗУ, EPROM – программируется и стирается многократно электрическим способом.
РПЗУ. УФ – стирается ультрафиолетовым излучением.
EE PROM с электрическим стиранием
Задается положительное напряжение (от 25 до 28 В)