Выпрямительный диод представлен на рис.2. Одна из областей р-n-структуры (р+), называется эмиттером, имеет большую концентрацию основных носителей заряда, чем другая область, называемая базой.
Рис. 2. Выпрямительный диод.
Статическая вольт-амперная характеристика (ВАХ) полупроводникового диода изображена на рис.3.
Рис. 3. Вольтамперная характеристика выпрямительного диода.
Здесь же пунктиром показана теоретическая ВАХ электронно-дырочного перехода, определяемая соотношением
,
где Iо — обратный ток насыщения (ток экстракции, обусловленный неосновными носителями заряда; значение его очень мало); U — напряжение на p-n-переходе; jт = kT/e — температурный потенциал (k — постоянная Больцмана, Т — температура, е — заряд электрона); m — поправочный коэффициент: m = 1 для германиевых р-n-переходов и m = 2 для кремниевых p-n-переходов при малом токе).
Важными параметрами, характеризующими свойства диода, являются статическое и дифференциальное сопротивление p-n-перехода.
Если к нелинейному элементу приложить постоянные напряжения, то он будет характеризоваться статическими параметрами.
Для диода статическое сопротивление определяется просто как отношение приложенного напряжения к соответствующему току.
.
Дифференциальное сопротивление равно отношению приращения падения напряжения на диоде к приращению тока через диод:
.
