ТТЛШ - логика

ИС этого вида среди других приборов ТТЛ имеют максимальное быстродействие, которое сочетается с умеренным потреблением мощности. Эти качества достигаются за счет шунтирования коллекторно-базового перехода биполярного транзистора диодом с барьером Шоттки (контакт металл-полупроводник).

В диодах Шоттки накопления неосновных носителей не происходит, так как перенос тока в них обусловлен переходом основных носителей из полупроводника в металл. Благодаря этому их время выключения мало, составляет около 0.1 нс и не зависит от температуры. Для обычного p-n перехода оно порядка 1-100 нс. Другое достоинство диодов Шоттки состоит в том, что для отпирания их требуется напряжение 0.2-0.4 В против 0.7 В для диодов с p-n переходом.

Транзисторы с диодами Шоттки или просто транзисторы Шоттки при включении не заходят в область глубокого насыщения, фиксируются на границе насыщения. В них не накапливается избыточный заряд неосновных носителей в базе, а поэтому исключается задержка, вызываемая рассасыванием избыточного заряда. Остаточное напряжение на коллекторе транзистора Шоттки составляет 0.2-0.3 В, т.е. немного больше, чем на обычным насыщенном транзисторе.

Схема ТТЛШ такая же, как и ЛЭ ТТЛ скоростной серии К130, но вместо обычных транзисторов использованы транзисторы Шоттки.

Рис 3.7. Базовый элемент ТТЛШ.

Транзистор VT5 является эмиттерным повторителем, находящимся в линейном режиме за счет 100% отрицательной обратной связи. В этом каскаде отсутствует насыщение транзистора, соответственно, не возникает задержки при выключении из за рассасывания избыточного заряда в базе режим. Поэтому транзистор VT5 обычный, не Шоттки.

В маломощных ИС ТТЛШ (серия К555) сочетается высокое быстродействие с умеренным потреблением: при одинаковой с универсальным элементом ТТЛ (серия К155) быстродействии потребляемая мощность в 555 серии в пять раз меньше. В быстрой ТТЛШ логике (серия К530) потребляемая мощность такая же как у универсальной серии К155, однако быстродействие в пять раз выше.