Иногда установку экспозиции определяет только уровень освещенности. Он может быть таким низким, что вам придется использовать длительную выдержку и максимально открыть отверстие диафрагмы, иначе изображение вообще не получится. Или уровень освещенности так высок, что требуется кратчайшая выдержка и самое малое отверстие диафрагмы. Но в большинстве случаев знайте, что у вас есть несколько комбинаций выдержки и диафрагмы. Дополнительно - в библиотеке темы «Экспонометр» и «Экспозиция».
Определив экспозицию, надо решить, каким вы хотите видеть снимок. Подумайте, как можно использовать глубину поля, чтобы выделить выбранный элемент объекта или чтобы передать в фокусе все изображение. Выбирая выдержку, не забывайте, как сказывается на результате вибрация камеры и движение объекта.
Сочетание величин диафрагмы и выдержки показывает, как одинаковую экспозицию получить разными путями. Если с изменением числа f соответственно меняется выдержка, пленка получит необходимое количество света. Если экспонометр (или инструкция к пленке) предлагает одно из таких сочетаний, вы можете воспользоваться ими, чтобы изменить глубину поля или зону нерезкости. Если же поменяется один параметр, а другой остается без изменения, общая экспозиция изменится. Например, при выдержке 1/30 с и f 8 на пленку попадает вдвое больше света, чем при 1/60 с и f 8.
Фотография. Шаг за шагом. М. Лэнгфорд. – М.: Планета, 1989 г.
Учебное пособие по дисциплине
«Электроника и микропроцессорная техника»
В книге изложены основы построения современных цифровых устройств. Учебное пособие для высших учебных заведений написано в соответствии с требованиями Государственного стандарта Министерства образования Российской федерации по дисциплинам «Электроника и схемотехника», изучаемой в высших учебных заведениях по специальности «Защищенные телекоммуникационные системы». Описана отечественная и зарубежная элементная база цифровых устройств, схемная реализация основных функциональных узлов на их основе. Материал книги подготовлен на основе лекций, читаемых автором в МИРЭА и ИКСИ.
В пособие включен практикум по компьютерному моделированию с использованием программы Electronics Workbench, облегчающий изучение, проектирование, отладку и исследование электронных схем. Практикум построен как инженерная разработка достаточно сложного электронного устройства с расчетом и моделированием отдельных функциональных узлов. Методически практикум согласован с лекционным материалом и предполагает параллельную работу при изучении курса.
Для студентов, преподавателей и профессиональных разработчиков цифровых электронных систем.
Оглавление
Предисловие. 9
Введение. 11
1. Основные понятия цифровой электроники. 14
1.1. Параметры импульсных и цифровых устройств. 14
1.2. Серии цифровых микросхем. 22
1.3. Корпуса цифровых ИС.. 26
2. Транзисторные ключи. 28
2.1. Ключ на биполярных транзисторах. 31
2.2. Быстродействие ключей на биполярных транзисторах. 34
2.3. Способы повышения быстродействия транзисторного ключа. 37