Основа – послед-ность програм-мых матриц эл-тов И и ИЛИ. В ст-ру входят также блоки вх и вых буферных каскадов (БВХ и БВЫХ).
Вх. буферы преобраз. однофазные входные сигналы в парафазные и форм. сигналы необход. мощности для питания матрицы эл-тов И.
Вых. буферы обеспеч. необход. нагрузочную способность выходов, разреш. или запрещ. выход ПЛМ на внешние шины с помощ. сигнала ОЕ, иногда вып. более слож. действия.
Основными параметрами ПЛМ явл. число входов m, число термов l и число выходов n.
Базовая структура ПЛМ: Переменные x1…xm подаются через БВX на входы эл-тов И, и в матр. И образ-ся l термов t. Под термом здесь понимается конъюнкция, связ-щая входные переменные, представл. в прямой или инверсной форме. Число формир-ых термов = числу конъюнкторов или числу выходов матр. И. Термы подаются далее на входы матр. ИЛИ, т.е. на входы дизъюнкторов, формир-щих выходные ф-ции. Число дизъюнкторов = числу вырабатываемых ф-ций n.
Т.о., ПЛМ реализ. дизъюнктивную НФ воспроизводимых ф-ций (двухуровневую логику). ПЛМ способна реализ. систему n лог. ф-ций от m аргументов, содерж. не более l термов. Воспроизводимые ф-ции явл. комбинациями из любого числа термов, формируемых матр. И. Какие именно термы будут выработаны и какие комбинации этих термов составят выходные ф-ции, опр. програм-нием ПЛМ.
Выпускаются ПЛМ на осн. биполярной технологии и на МОП-транз-рах.
Програм-ние ПЛМ, вып. польз-лем, проводится с помощ. спец. устр-в.
В ПЛМ входы (A1-A3) и выходы (Z1-Z3) связаны двумя матрицами и логическими элементами НЕ, И, ИЛИ. Последние, соответственно, выполняют, определяемые булевой алгеброй операции отрицания (НЕ), конъюкции (И) идизъюнкции (ИЛИ). Объединение друг с другом шин вентильных матриц происходит двояким образом. В одном случае осуществляется ультрафиолетовое стирание либо электрическое пережигание имеющихся в Интегральной Схеме (ИСМ)перемычек. Во втором случае используется обратная технология - замыкание перемычек, т.е. создание соединений в заранее заданных местах. Логические матрицы, программируемые пользователями, требуют большой площади кристалла. Из-за этого они изготавливаются с относительно небольшим числом возможных внутренних связей и реализуют относительно простые функции.