Цифровые запоминающие устройства (ЗУ) предназначены для записи, хранения и выдачи информации, представленной в виде цифрового кода.
Классификацию ЗУ можно выполнить по ряду признаков: иерархии; способу обращения к ячейкам памяти; функциональному назначению; способу хранения информации; технологическому исполнению.
В иерархии памяти ЭВМ ЗУ: Регистровые ЗУ -находятся в составе процессора. Наименьший объем и наибольшее быстродействие. Кэш-память - предназначена для хранения промежуточной информации для текущих операций. Небольшой объем и высокое быстродействие. Основная память - в ней хранятся данные и программы, выполняемые в данный момент процессором, работает в режиме обмена с процессором.Специализированная память – примен-ся для специальных арх-ур (видеопамяти).Внешняя память – магнитные, оптические диски и т.д.По способу обращения к ячейкам памяти ЗУ: адресные, последовательные и ассоциативные.
Адресные ЗУ позволяют обращаться к любой ячейке в адресном пространстве. Все ячейки равнодоступны. Эти ЗУ наиболее распространены.Последовательные ЗУ осуществляет считывание информации из очереди слово за словом либо в порядке записи, либо в обратном порядке.
Ассоциативные ЗУ реализуют поиск информации по некоторому признаку, а не по ее расположению в памяти.
По функциональному назначению ЗУ:
Оперативные ЗУ (ОЗУ, или RAM) – устройства памяти цифровой информации, обеспечивают запись, хранение и считывание цифровой информации в процессе ее обработки.
Постоянные ЗУ (ПЗУ, или ROM) – матрицы элементов памяти, предназнач. для хранения и воспроизведения неизменной информации, заносимой в матрицу при изготовлении.
Программируемые постоянные запоминающие устройства (ППЗУ, или PROM) – ПЗУ с возможностью однократного электрического программир-я. Позволяет пользователю однократно запрограммировать микросхему памяти.
Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства (РПЗУ, или EEPROM) – ПЗУ с возмож-тью многократ. электрического программир-я. Отличаются от ПЗУ тем, что допускают многократную электрическую запись информации.
Репрограммируемые постоянные запоминающие устройства с ультрафиолетовым стиранием (РПЗУ УФ, или EPROM) отличаются от РПЗУ только способом стирания информации с помощью ультрафиолетовых лучей. Для этого в корпусе микросхемы сделано специальное окно.
FLASH-память принципиально подобна РПЗУ, но эта память имеет структурные и технологические особенности, позволяющие выделить ее в отдельный вид.
По способу хранения информации ОЗУ делятся на статические (SRAM) и динамические (DRAM). В статических ОЗУ запоминающими элементами являются триггеры, сохраняющие свое состояние, пока схема находится под напряжением питания. В динамических ОЗУ данные хранятся в виде зарядов конденсаторов, образуемых элементами МОП-транзисторов. Саморазряд конденсаторов ведет к потере данных, поэтому они должны периодически регенерироваться. Это является недостатком динамических ОЗУ. Достоинства: плотность упаковки элементов динамической памяти в несколько раз выше, чем у статических ОЗУ. Поэтому динамические ОЗУ имеют более высокую информационную емкость и меньшую цену. Достоинство статических ОЗУ – большее быстродействие. Динамические ОЗУ используются как основная память ЭВМ. Быстродействующие статические ОЗУ в основном применяются в кэш-памяти, последовательных ЗУ и т.п.
Различают энергозависимую и энергонезависимую память.
Параметры ЗУ:
Информационная емкость определяет максимально возможный объем хранимой в нем информации. Единицей измерения количества информации является один бит или слово (в частности, байт). Бит хранится запоминающим элементом (ЗЭ), а слово – запоминающей ячейкой (ЗЯ), к которым возможно лишь одновременное обращение.
Организация ЗУ (N × L) показывает число кодовых слов (N), хранимых в ЗУ с указанием из длины (разрядности) (L). Емкость ЗУ соответственно равна M = NL. При одном и том же объеме памяти хранимой информации память может иметь разную организацию. Примеры организации памяти: 32 × 8, 128К × 8, 1М × 1.
Динамические характеристики ЗУ Время считывания – интервал между моментами появления сигнала чтения и слова на выходе ЗУ. Время записи – интервал после появления сигнала записи, достаточный для установления ЗЯ в состояние, задаваемое входным словом. Цикл – минимально допустимый интервал между последовательными повторными операциями чтения или записи. Длительности циклов превышают времена чтения и записи, т.к. после этих операций до начала следующей может потребоваться время для восстановления необходимого начального состояния ЗУ.
