2.1. Макет лабораторной работы №
Рисунок 10.2 – Принципиальная схема макета МВ на транзисторах
2.2. Снять осциллограммы в контрольных точках схемы (х1, х2, х3, х4), для чего необходимо: использовать коммутатор стенда, при этом нажать кнопки «Вкл» и «Y1-Y4» и пользоваться гнездами входов «Y1-Y4», а также ручками «Y2», «Y3» и «Y4» - на панели управления стенда; с помощью соединительных проводников подключить вход внешней синхронизации и выход «_۸_» генератора развертки осциллографа С1-93 к соответствующим гнездам на боковой стенке стенда; соединить проводниками гнезда «Y1(I)» и Х1, «Y2» и Х2, Х3(II) и Х4, Х4, «Y4» и Х3; используя ручки стенда «Y2», «Y3» и «Y4» расположить на экране исследуемые осциллограммы в указанных точках схемы МВ.
2.3. Экспериментально измерить с помощью осциллографа динамические параметры МВ на транзисторах (длительности импульса , периода Т и частоты f колебаний МВ) в следующих режимах его работы: 1 – S1 и S2 разомкнуты; 2 - S1 и S2 замкнуты; 3 - S1 – замкнут, а S2 – разомкнут; 4 - S1 – разомкнут, а S2 – замкнут.
2.4. Теоретически рассчитать значения экспериментально определенных в п.2.3 динамических параметров. Сравнить теоретические и экспериментальные данные и объяснить их расхождения. Для расчета принять следующие значения параметров: R1=R2=10 кОм; Rк1=Rk2=1,5 кОм; С1=С2=С3=С4=0,022 мкф; транзистор КТ315Г.
