Общие сведенья по системам управления (аналоговые и дискретные). Область применения.

Рис. 6.5. Схема СОСна базе переключаемых конденсаторов

с максимальным диапазоном входных сигналов.

Схема СОС на Рис. 6.5 отличается от схемы на Рис. 6.4 тем, что резисторы заменены на переключаемые конденсаторы и , поддерживающие, во – первых, разряженное состояние конденсаторов и и, во – вторых, нулевой потенциал узла А.

Очень распространен вариант схемы СОС на базе переключаемых конденсаторов без использования в ней дифкаскада.

Рис. 6.6. Схема СОСна базе переключаемых конденсаторов с максимальным диапазоном входных сигналов без использования дифкаскада.

Схема СОС на 6.6 очень популярна в однокаскадных ОИТУН класса А, используемых в высокочастотных схемах на переключаемых конденсаторах (фильтрах, ΣΔ модуляторах). Типичным примером является ОИТУН на Рис. 6.2а, на базе которого рассмотрим принцип работы схемы СОС на Рис. 4 – 5. Работа схемы СОС базируется на одинаковости превышения над порогом транзистора Mn1 схемы СОС и транзисторов Mn3 и Mn4 в ОИТУН. Переключаемые конденсаторы и схемы СОС доставляют на конденсаторы синфазной обратной связи и заряд, создающий на конденсаторах синфазной обратной связи напряжение, равное половине питания минус потенциал затвора транзистора Mn1. Потенциал объединенных нижних обкладок и в каждом такте передается на объединенные затворы Mn3 и Mn4 ОИТУН, поэтому после некоторого количества тактов напряжение на и , возникающее на них после подключения к диоду и к «земле», установится на и , станет неким синфазным опорным напряжением внутри ОИТУН, равным и будет поддерживаться за счет «подпитки» в каждом такте конденсаторами и .

Достоинство схемы на Рис. 6.6 перед схемой на Рис. 6.5 – в отсутствии задержки на пути синфазного сигнала, что способствует быстрейшему установлению синфазного выходного напряжения и уменьшению нелинейных искажений. Ее недостаток – в как правило большой паразитной емкости в узле, подключаемом к сигналу . В типичном ОИТУН на Рис. 6.2, применяемом в широкополосных ΣΔ модуляторах с высоким динамическим диапазоном, суммарная емкость затворов транзисторов Mn3 и Mn4 достигает нескольких пикофарад, поэтому конденсаторы – такого же порядка величины, что увеличивает суммарную емкость нагрузки и затрудняет увеличение .

На рис. 6.6 потенциал есть потенциал диода на транзисторе Mn1. следует учитывать:

(А)подобно замечанию в конце раздела с описанием схемы СОС с ограниченным входным диапазоном, потенциал диода может подаваться на транзистор – источник тока, в стоке которого находится каскодный транзистор;

(В)сам диод может находиться в составе узла, формирующего необходимые постоянные потенциалы на затворы транзисторов, являющихся как источниками тока, так и каскодными.

Общие сведенья по системам управления (аналоговые и дискретные). Область применения.

Схемы управления делятся на аналоговые и дискретные.

Сигналы служат для переноса информации. Они описываются физическими величинами: ток, напряжение, сила, давление и т.д. Амплитуда таких величин зависит от времени.

Рисунок 2

Аналоговый сигнал может принимать любое значение в пределах допустимого диапазона.

Системы, которые могут обрабатывать непрерывный по величине сигнал называются аналоговыми.

Дискретные (цифровые) по величине сигналы могут принимать только определенные дискретные значения в фиксированные моменты времени.

Рисунок 3

Рисунок 4

В электроприводе используются аналоговые устройства: преобразователи различного вида и рода, датчики, регуляторы, датчики положения, усилители сигналов и т.д.

Дискретные: реле, контакторы, бесконтактные элементы (“И”, “ИЛИ”), триггеры, программируемые контроллеры.