Зависимость потенциала общего истока дифкаскада от сигнала

Пусть на вход дифференциального ОИТУН подается НЕсимметричный малый входной сигнал .

Запишем выражения для токов во входных транзисторах дифкаскада:

и (6.4)

Имеем очевидное соотношение: . (6.5)

Подставляем сюда из (6.4) выражения для и , и после алгебраических преобразований получаем: (6.6)

Пусть на вход дифференциального ОИТУН подается симметричный малый входной сигнал. При этом для токов во входных транзисторах дифкаскада: и (6.7)

Подставляем (6.7)в (6.4) и получаем (6.8)

Итак, при малом симметричном входном сигнале,т.е. при условии , можно пренебречь изменением потенциала общего истока дифкаскада. Другими словами, вполне корректно потенциал общего истока дифкаскада можно признать постоянным, не вызывающим перезарядки паразитной емкости в узле общего истока. Но формально постоянный потенциал узла В означает, что этот узел присоединен к источнику постоянного напряжения , и обе симметричные половины полностью дифференциального ОИТУН необходимо рассматривать как самостоятельные подсхемы, никаким образом не влияющие друг на друга по трактам дифференциального сигнала (как показано ниже, они связаны лишь общей схемой синфазной обратной связи). Как следствие, каждая из половин по сравнению с несимметричным ОИТУН эффективно имеет вдвое меньшее количество узлов и, соответственно, вдвое меньшее количество неосновных полюсов. Последнее означает практически вдвое более высокую частоту эффективного неосновного полюса и больший запас фазы.

Среди узлов в дифференциальном по входу, но НЕсимметричном по выходу ОИТУНе особо выделяют токовое зеркало, всегда присутствующее в тракте дифференциального сигнала. В нем к выходу диода всегда подключена паразитная емкость двухзатворов, и сопутствующий неосновной полюс всегда имеет как минимум в 2 раза меньшую собственную частоту в сравнении с остальными.

В полностью дифференциальных ОИТУН подобное токовое зеркало на пути дифференциального сигнала отсутствует, и, в результате увеличения запаса фазы, они могут иметь практически в 2 раза более высокую частоту единичного усиления.